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Conmutadores inteligentes de lado bajo HITFET™ de Infineon

Conmutadores inteligentes de lado bajo HITFET™ de Infineon

Los conmutadores inteligentes de lado bajo HITFET™ de Infineon son transistores de alimentación versátiles diseñados para aplicaciones industriales y de automoción. Su funciones integradas de inteligencia y protección ofrecen no solo una reducción de coste y PCB, o un menor tiempo de salida al mercado, sino también una mejora en el rendimiento y la fiabilidad respecto a soluciones convencionales y específicas. Los conmutadores inteligentes de lado bajo HITFET proporcionan un nivel de protección elevado frente a exceso de temperatura, cortocircuitos, sobrecorriente, sobretensión y ESD. El dispositivo HITFET combina todas estas funciones de protección en un único dispositivo fácil de usar. Con estas funciones y la reconocida calidad y fiabilidad de Infineon, podrá tener la seguridad de que el dispositivo HITFET puede dar respuesta a los requisitos de las aplicaciones más exigentes.

Los conmutadores de alimentación MOSFET de lado bajo y canal único BTS3028/BTS3046/BTS3104 de Infineon vienen en un paquete PG-T0252-3-11 que ofrece funciones de protección integradas. Este dispositivo se integra de forma monolítica en un FET de alimentación vertical de canal N y cuenta con funciones de protección integradas. Todos los dispositivos pueden utilizarse en aplicaciones de automoción y en aplicaciones industriales y de automoción de 12 V y 24 V.

Recursos adicionales
Hoja de datos BTS3028 Hoja de datos BTS3028
Hoja de datos BTS3046 Hoja de datos BTS3046
Hoja de datos BTS3104 Hoja de datos BTS3104
Características
  • Protección frente a cortocircuitos y sobrecargas
  • Apagado térmico con comportamiento de bloqueo
  • Protección ESD
  • Protección contra sobretensión
  • Entrada de nivel lógico adecuada para 5 V y 3,3 V
  • Posibilidad de control analógico
  • Utilizable con aplicaciones de 12 V y 24 V

  • Producto ecológico (conforme con RoHS)
  • Calificación AEC

Aplicaciones
  • Aplicaciones de 24 V
Diagrama de bloques BTS3028/BTS3046/BTS3104
Diagrama de bloques BTS3028/BTS3046/BTS3104

El conmutador de alimentación MOSFET de lado bajo y canal único BTS3256 de Infineon viene en un paquete PG-TO-252-5-11 que ofrece funciones de protección integradas. Este dispositivo HITFET™ está diseñado para aplicaciones industriales y de automoción, con un nivel elevado de protección y funciones de control. El transistor de alimentación es un MOSFET de alimentación vertical de canal N. El dispositivo está controlado mediante un chip con la tecnología Smart Power.

 
Características
  • Control de la velocidad de sesgo mediante un sistema de conmutación optimizado para EMC y pin exclusivo o mediante uso de PWM
  • Máx. Frecuencia de conmutación de 12 kHz
  • Detección clara de señales de fallo digitales también durante el uso de PWM gracias al tiempo de retardo para reinicio
  • Protección térmica y contra sobrecargas con el comportamiento de reinicio automático con control de tiempo
  • Limitación de corriente activa para tiempo y potencia
  • RDSDS(on) mínimo obtenido con entrada lógica de 3,3 V o 5 V

  • Protección contra descargas electrostáticas (ESD)
  • Corriente de fuga muy baja
  • Producto ecológico (conforme con RoHS)
  • Homologación mediante prueba de estrés del AEC (Consejo de Dispositivos Electrónicos para Automoción)

Aplicaciones
  • Controlador de solenoide (cadena cinemática)
  • Controlador de cuerpo (atenuación de luz interior)
Diagrama de bloques BTS3256
Diagrama de bloques BTS3256
eNews
  • Infineon Technologies
Publicado: 2014-10-08 | Actualizado: 2025-05-22