IGI60L1111B1MXUMA1

Infineon Technologies
726-IGI60L1111B1MXUM
IGI60L1111B1MXUMA1

Fabr.:

Descripción:
FET de GaN CoolGaN Drive HB 600 V G5

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: FET de GaN
SMD/SMT
TFLGA-27
- 40 C
+ 150 C
CoolGaN
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Inverting
Tiempo de caída: 35 ns
Sensibles a la humedad: Yes
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Producto: Gate Driver
Tipo de producto: GaN FETs
Tiempo de establecimiento: 70 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tipo: Half-Bridge
Alias de parte #: IGI60L1111B1M SP006060937
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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Códigos de cumplimiento
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Tailandia
País de origen del ensamblaje:
Tailandia
País de difusión:
Austria
El país puede cambiar en el momento del envío.

CoolGaN™ Drive HB 600V G5 Switches

Infineon Technologies CoolGaN™ Drive HB 600V G5 Switches integrate a half-bridge power stage featuring two 600V enhancement-mode CoolGaN switches with on-resistance options of 140mΩ, 270mΩ, or 500mΩ. These switches include built-in gate drivers and come in a compact 6mm × 8mm TFLGA-27 package. Designed for low-/medium-power applications, these switches are ideal for high-density motor drives and switch-mode power supplies (SMPS), leveraging the superior switching performance of CoolGaN technology. Infineon’s CoolGaN switches feature a robust gate structure that ensures minimal on-resistance when driven by a continuous gate current of just a few milliamps in the “on” state.

En existencias: 2.393

Existencias:
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Plazo de producción de fábrica:
18 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
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Precio total:
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Tarifa estimada:

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