Semiconductores discretos

Resultados: 4.054
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET
Hoja de datos
155En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET
Hoja de datos
997En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3

STMicroelectronics IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
Hoja de datos
540En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 600

IGBTs Si SMD/SMT HU3PAK-7
STMicroelectronics IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
Hoja de datos
540En existencias
600Fecha prevista: 23/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBTs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET Automotive N-channel 40 V, 0.48 mOhm max., 672 A STripFET F8 Power MOSFET
Hoja de datos
419En existencias
2.000Fecha prevista: 09/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

MOSFETs
STMicroelectronics MOSFET N-channel logic level 60 V, 2.5 mOhm max., 160 A, STripFET F7 Power MOSFET
Hoja de datos
399En existencias
3.000Fecha prevista: 23/09/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

MOSFETs
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V, 20A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
Hoja de datos
573En existencias
600Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole DO-247-2
STMicroelectronics Diodos y rectificadores Schottky Aerospace 45 V power Schottky rectifier - Engineering model
Hoja de datos
52En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT LCC-2B
STMicroelectronics Transistores bipolares - BJT Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model
Hoja de datos
101En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT UB-4
STMicroelectronics Transistores bipolares - BJT Rad-Hard 60 V, 0.6 A PNP transistor - Engineering model
Hoja de datos
21En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT UB-4
STMicroelectronics Transistores bipolares - BJT Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model
Hoja de datos
13En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SMD.5
STMicroelectronics Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module, 3-level topology, SiC Power MOSFETs 750 & 1200V 100 A
Hoja de datos
18En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFET Modules SiC Press Fit 56.7 mm x 48 mm
STMicroelectronics SCR 12 A HiTJ ACST
Hoja de datos
3.492En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SCRs


STMicroelectronics IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 1200 V 40 A low-loss MS series IGBT in a
Hoja de datos
515En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
610En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP247-3
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
540En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
448En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
256En existencias
600Fecha prevista: 27/08/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole Hip247-4


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
Hoja de datos
235En existencias
600Fecha prevista: 12/03/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP247-3
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
584En existencias
1.000Fecha prevista: 21/05/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
Hoja de datos
246En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4


STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
467En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP247-4


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
481En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP247-4
STMicroelectronics MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package
Hoja de datos
1.404En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800

SiC MOSFETS SMD/SMT TOLL-8
STMicroelectronics Diodos de Protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 5000 W, 22 V TVS
Hoja de datos
3.823En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500