Semiconductores discretos

Resultados: 4.054
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package 48En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole STPAK-4
STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor 374En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800

GaN FETs GaN SMD/SMT TO-LL-11
STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor 728En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

GaN FETs GaN SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor 768En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

GaN FETs GaN SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in an H2PAK-2 HC package 1.095En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

MOSFETs
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, 12A High surge Silicon Carbide power Schottky diode 940En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220AC-2
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V, 12A High surge Silicon Carbide power Schottky diode 930En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Schottky Diodes
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, 16A High surge Silicon Carbide power Schottky diode 999En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Schottky Diodes
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, 20A High surge Silicon Carbide power Schottky diode 992En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220AC-2
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 1.340En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-HV-8
STMicroelectronics Triacs Hi temp 10A Triacs 1.616En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Triacs SMD/SMT D2PAK
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II 223En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH 695En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Diodos de Protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V to 70V Uni 2.236En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de Protección contra ESD / Diodos TVS 5000 W, 6.5 V TVS in SMC 2.102En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de Protección contra ESD / Diodos TVS 600 W 4kW Transil 6V to 70V Uni 1.690En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMB (DO-214AA)
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed 2.258En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-220FP-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra 922En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor 637En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

GaN FETs GaN SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor 790En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

GaN FETs GaN SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics FET de GaN 100 V, 1.1 mOhm typ., 474 A, e-mode PowerGaN transistor 341En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

GaN FETs GaN SMD/SMT FCLGA-8
STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor 693En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 100
: 3.000

GaN FETs GaN SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor 552En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

GaN FETs GaN SMD/SMT DPAK-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package 88En existencias
3.000Fecha prevista: 16/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-4
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package 210En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-4