SiC MOSFET Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos
Cambiar vista de categoría
Resultados: 62
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
IXYS MOSFET de SiC 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
Hoja de datos
760En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7L
IXYS MOSFET de SiC 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Hoja de datos
394En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4L
IXYS MOSFET de SiC 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Hoja de datos
292En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4L
SemiQ MOSFET de SiC Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
Hoja de datos
80En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4L
SemiQ MOSFET de SiC Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
Hoja de datos
185En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4L
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
Hoja de datos
69En existencias
2.250Fecha prevista: 08/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
Hoja de datos
203En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
Hoja de datos
9En existencias
720Fecha prevista: 17/06/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
Hoja de datos
21En existencias
5.520Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
Hoja de datos
37En existencias
480Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
Hoja de datos
18En existencias
1.200Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Nexperia MOSFET de SiC NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
Hoja de datos
660En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7
Nexperia MOSFET de SiC NSF040120D7A1-Q/SOT8070/TO263-
Hoja de datos
795En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7
Nexperia MOSFET de SiC NSF040120D7A1/SOT8070/TO263-7L
Hoja de datos
795En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7
Central Semiconductor MOSFET de SiC 18A,1200V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
Hoja de datos
40En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
Hoja de datos
102En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 30mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
Hoja de datos
289En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
Hoja de datos
117En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
Hoja de datos
5En existencias
1.800Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies MOSFET de SiC Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
Hoja de datos
4.396Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800

SiC MOSFETS SMD/SMT
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
4.000Pedido
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

SiC MOSFETS SMD/SMT HSOF-8
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
Hoja de datos
1.920Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
Hoja de datos
1.992Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
IXYS MOSFET de SiC 1200V 21mOhm in TO247
Hoja de datos
650Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4L
IXYS MOSFET de SiC 1200V 18mOhm in TO247
Hoja de datos
650Fecha prevista: 19/01/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4L