CMOS Semiconductores

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS
Nisshinbo NJU7748F4-45-TE1
Nisshinbo Reguladores de voltaje LDO 1.5uA 100mA 0.17V 10V 4.5V 250mW
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
: 3.000

ABLIC S-1313D33H-A4T1U3
ABLIC Reguladores de voltaje LDO
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 10.000
Múlt.: 10.000
: 10.000

ABLIC S-1313D33H-M5T1U3
ABLIC Reguladores de voltaje LDO
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
: 3.000

ABLIC S-1313D33H-N4T1U3
ABLIC Reguladores de voltaje LDO
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
: 3.000

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,55ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,55ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1


ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16/2Mb x 8, 55ns, 2.2v-3.6v,48 Pin TSOP I, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

Taiwan Semiconductor Reguladores de voltaje LDO 250mA 1.8V Low Quiescent Current CMOS LDO
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 22 Semanas
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Taiwan Semiconductor Reguladores de voltaje LDO 250mA 2.5V Low Quiescent Current CMOS LDO
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 22 Semanas
Mín.: 12.000
Múlt.: 3.000
: 3.000

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 480
Múlt.: 480

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,55ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500