SRAM Semiconductores

Resultados: 252
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS
ISSI SRAM 4Mb, Serial SRAM, 2.7V-3.6V, 45MHz, 8 pin SOIC 150mil, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
: 3.000

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async, 1Mb x 16/2Mb x 8, 55ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,2.2v-3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,2.2v-3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

ISSI SRAM 1Mb, Serial SRAM, 2.2V-3.6V, 20MHz, 8 pin SOIC 150mil, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
: 3.000


ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,64K x 16,2.4V-3.6V (8ns),44 Pin TSOP II, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1


ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,64K x 16,2.4V-3.6V (8ns),44 Pin TSOP II, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

ISSI SRAM 16Mb 1.65-2.2V 55ns 1Mx16 Async SRAM
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 96
Múlt.: 96

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/ERR2 Pins, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500


ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, ERR1/ERR2 Pins, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/ERR2 Pins, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 480
Múlt.: 480

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ECC, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 480
Múlt.: 480

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ECC, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500


ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, ECC, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 96
Múlt.: 96


ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, ECC, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1


ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async, 1Mb x 16/2Mb x 8, 45ns, 2.2v-3.6v,48 Pin TSOP I, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

Infineon Technologies CY7S1061GE30-10BVM
Infineon Technologies SRAM 16Mb Powersnooze 3.3V ERR pinMil temp
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 2.400
Múlt.: 2.400
No

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000


ISSI SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 135
Múlt.: 135

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 480
Múlt.: 480


ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 135
Múlt.: 135