2012 Inductores, cebadores y bobinas

Tipos de inductores, cebadores y bobinas

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Resultados: 2.880
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Inductancia Tolerancia Corriente CC máxima Estilo de terminación Temperatura operativa máxima Cualificación
TE Connectivity / Holsworthy Inductores de RF (SMD) 3650 2A 0.27uH 5% 2K RL 14.172En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

270 nH 5 % 350 mA SMD/SMT + 125 C
Littelfuse Inductores de potencia (SMD) PWI 2012 0.8T 1.0uH 6.806En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

1 uH 20 % 2.7 A SMD/SMT + 125 C
Bourns Inductores de potencia (SMD) 3.3nH 5% .85mm Multi Layer 117.742En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

3.3 nH 5 % 300 mA SMD/SMT + 125 C
KYOCERA AVX Inductores de RF (SMD) 5.6nH 4.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000
No
5.6 nH 0.5 nH 1.5 A SMD/SMT + 125 C
TE Connectivity / Holsworthy Inductores de RF (SMD) 3650 2A 0.82uH 5% 2K RL 32.254En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

820 nH 5 % 180 mA SMD/SMT + 125 C
Bourns Inductores de potencia (SMD) 470nH 5% 1.25mm Multi Layer 31.133En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

470 nH 5 % 300 mA SMD/SMT + 125 C
Bourns Inductores de potencia (SMD) 4.7uH 10% MULTI LAYER 103.436En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

4.7 uH 10 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
Bourns Inductores de potencia (SMD) 82nH 5% .85mm Multi Layer 31.049En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

82 nH 5 % 300 mA SMD/SMT + 125 C
Bourns Inductores de potencia (SMD) Ind,2x1.25x.5mm,1uH+/-20%,0.8A,Shd,SMD 7.607En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

1 uH 20 % 800 mA SMD/SMT + 85 C
Vishay / Dale Inductores de potencia (SMD) 0805 .47uH 20% 11.953En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

470 nH 20 % 3.7 A SMD/SMT + 125 C
Sumida Inductores de RF (SMD) RF Chip Inductor SMD 560nH 0805 5% Tol 8.238En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

560 nH 5 % 100 mA SMD/SMT + 125 C
TDK Inductores de potencia (SMD) 2.2 UH 20% 137.798En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

2.2 uH 20 % 650 mA SMD/SMT + 125 C
Sumida Inductores de RF (SMD) RF Chip Inductor SMD 10nH 0805 5% Tol 8.955En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

10 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics Inductores de RF (SMD) Chilisin RF inductor Wire Wound-STD 3.844En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

1.5 uH 10 % 1.2 A SMD/SMT + 105 C
Vishay / Dale Inductores de RF (SMD) 2.2uH 5% 6.884En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

2.2 nH 0.3 nH 800 mA SMD/SMT + 125 C
Vishay / Dale Inductores de RF (SMD) .039uh 5% 3.948En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

39 nH SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF (SMD) IND 39.00 uH 0.004 A 1500.00 mOhm 5.160En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

39 uH 10 % 4 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF (SMD) IND 4.70 uH 0.030 A 1000.00 mOhm 6.939En existencias
4.000Fecha prevista: 19/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

4.7 uH 10 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF (SMD) IND 0.68 uH 0.150 A 800.00 mOhm 3.871En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

680 nH 10 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TAIYO YUDEN Inductores de potencia (SMD) PLEASE SEE SUGGESTED ALTERNATE LSQBA201212T680K 3.157En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

4.7 uH 20 % 190 mA SMD/SMT + 105 C
Coilcraft Inductores de RF (SMD) 0805 120nH Unshld 2% 0.62A 293mOhms 1.365En existencias
4.000Fecha prevista: 19/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

120 nH 2 % 620 mA SMD/SMT + 125 C
Coilcraft Inductores de RF (SMD) 0805 180nH Unshld 5% 0.54A 374mOhms 574En existencias
2.000Fecha prevista: 16/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

180 nH 5 % 540 mA SMD/SMT + 125 C
Coilcraft Inductores de RF (SMD) 0805 330nH Unshld 2% 0.36A 1.004Ohms 2.281En existencias
4.000Fecha prevista: 16/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

330 nH 2 % 360 mA SMD/SMT + 125 C
Coilcraft Inductores de RF (SMD) 0805 330nH Unshld 5% 0.36A 1.004Ohms 1.953En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

330 nH 5 % 360 mA SMD/SMT + 125 C
KYOCERA AVX Inductores de RF (SMD) 10nH 2% 815En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

10 nH 2 % 1.5 A SMD/SMT + 125 C