200 MHz SRAM

Resultados: 1.206
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tamaño de memoria Organización Tiempo de acceso Frecuencia máxima de reloj Tipo de interfaz Tensión del suministro - Máx Tensión del suministro - Mín Corriente de suministro (máx.) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Empaquetado
GSI Technology GS81284Z18B-200I
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 8M x 18 144M No en almacén
Mín.: 10
Múlt.: 10
144 Mbit 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 360 mA, 435 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology GS81284Z18B-200IV
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M No en almacén
Mín.: 10
Múlt.: 10
144 Mbit 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 360 mA, 435 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology GS81284Z36B-200I
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 36 144M No en almacén
Mín.: 10
Múlt.: 10
144 Mbit 4 M x 36 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 385 mA, 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology GS816018DGT-200M
GSI Technology SRAM
No en almacén
Mín.: 36
Múlt.: 36
18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 240 mA, 245 mA - 55 C + 125 C SMD/SMT TQFP-100
GSI Technology GS816036DGT-200M
GSI Technology SRAM
No en almacén
Mín.: 36
Múlt.: 36
18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 255 mA, 260 mA - 55 C + 125 C SMD/SMT TQFP-100
GSI Technology GS8161Z18DD-200I
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology GS8161Z32DD-200I
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
18 Mbit 512 k x 32 6.5 ns 200 MHz 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology GS8162Z18DB-200I
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology GS8162Z18DD-200I
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology GS8162Z36DB-200I
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology GS842Z18CB-200I
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M No en almacén
Mín.: 84
Múlt.: 84
4 Mbit 256 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 175 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology GS842Z18CB-200M
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M
No en almacén
Mín.: 84
Múlt.: 84
4 Mbit 256 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V - 55 C + 125 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology GS842Z36CB-200I
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M No en almacén
Mín.: 84
Múlt.: 84
4 Mbit 128 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology GS842Z36CB-200M
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
No en almacén
Mín.: 84
Múlt.: 84
4 Mbit 128 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V - 55 C + 125 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology GS881Z18CD-200I
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M No en almacén
Mín.: 72
Múlt.: 72
9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 175 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology GS881Z32CD-200I
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 32 8M No en almacén
Mín.: 72
Múlt.: 72
9 Mbit 256 k x 32 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology GS881Z36CD-200I
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M No en almacén
Mín.: 72
Múlt.: 72
9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology GS882Z18CB-200I
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 175 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology GS882Z18CD-200I
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M No en almacén
Mín.: 72
Múlt.: 72
9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 175 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology GS882Z36CB-200I
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology GS882Z36CD-200I
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
Infineon Technologies CY7C1370KV33-250AXC
Infineon Technologies SRAM SYNC SRAMS No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

18 Mbit 512 k x 36 3 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 200 mA 0 C + 70 C SMD/SMT Tray
Infineon Technologies CY7C1372KV33-200AXC
Infineon Technologies SRAM SYNC SRAMS No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

18 Mbit 1 M x 18 3 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 158 mA 0 C + 70 C SMD/SMT Tray

ISSI SRAM 128Mb, HyperRAM, 16Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 480
Múlt.: 480

128 Mb 35 ns 200 MHz 3.6 V 2.7 V - 40 C + 105 C SMD/SMT TFBGA-24
ISSI SRAM 4Mb,Pipeline,Sync with ECC,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 800
Múlt.: 800
: 800

4 Mbit 128 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.3 V 2.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel