ISSI SRAM

Resultados: 1.007
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tamaño de memoria Organización Tiempo de acceso Frecuencia máxima de reloj Tipo de interfaz Tensión del suministro - Máx Tensión del suministro - Mín Corriente de suministro (máx.) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Empaquetado
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 480
Múlt.: 480

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Serial 3.6 V 2.4 V 110 mA, 135 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT BGA-48
ISSI SRAM 18Mb, QUADP (Burst of 2), Sync SRAM, 512K x 36, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 105
Múlt.: 105

18 Mbit 512 k x 36 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.2 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V, 36 Ball mBGA (6x8mm), RoHS No en almacén
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36 Reel
ISSI SRAM 18Mb, QUADP (Burst of 2), Sync SRAM, 1M x 18, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 105
Múlt.: 105

18 Mbit 1 M x 18 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.15 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb, QUADP (Burst of 2), Sync SRAM, 1M x 36, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 105
Múlt.: 105

36 Mbit 1 M x 36 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.2 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb, QUADP (Burst of 2), Sync SRAM, 2M x 18, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 105
Múlt.: 105

36 Mbit 2 M x 18 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.15 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUADP (Burst of 2), Sync SRAM, 2M x 36, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 105
Múlt.: 105

72 Mbit 2 M x 36 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.2 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUADP (Burst of 2), Sync SRAM, 4M x 18, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 105
Múlt.: 105

72 Mbit 4 M x 18 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.15 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb 2Mx18 333Mhz QUAD Sync SRAM No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 105
Múlt.: 105

36 Mbit 2 M x 18 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 800 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 512K x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 105
Múlt.: 105

18 Mbit 512 k x 36 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.3 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb (512Kx36) Sync SRAM 2.5v No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
: 2.000

18 Mbit 512 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Reel
ISSI SRAM 36Mb, QUAD (Burst of 2), Sync SRAM, 2M x 18, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 105
Múlt.: 105

36 Mbit 2 M x 18 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.15 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb, QUAD (Burst of 2), Sync SRAM, 512K x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 105
Múlt.: 105

18 Mbit 512 k x 36 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.2 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 2M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 105
Múlt.: 105

72 Mbit 2 M x 36 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.3 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Low Power,Async,512K x 8,25ns,5v,32 Pin TSOP II, RoHS No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

4 Mbit 512 k x 8 25 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Reel
ISSI SRAM 18Mb, QUADP (Burst of 4), Sync SRAM, 1M x 18, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 105
Múlt.: 105

18 Mbit 1 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.15 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 4M x 18, 165 Ball FBGA (15x17 mm) No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 105
Múlt.: 105

72 Mbit 4 M x 18 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 800 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,3.3v or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 72
Múlt.: 72

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,3.3v or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 800
Múlt.: 800
: 800

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18M (1Mx18) 7.5ns Sync SRAM 3.3v No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 72
Múlt.: 72

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,1M x 18,6.5ns,3.3v I/O, 100Pin TQFP, RoHS No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 72
Múlt.: 72

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 2.375 V 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,1M x 18,6.5ns,3.3v I/O, 100Pin TQFP, RoHS No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 800
Múlt.: 800
: 800

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 2.375 V 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,1M x 18,7.5ns,3.3v I/O, 100Pin TQFP, RoHS No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 800
Múlt.: 800
: 800

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT QFP-100 Reel
ISSI SRAM 36Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 36,7.5ns,3.3V I/O,100 Pin TQFP, RoHS No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 2.375 V 300 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100
ISSI SRAM 36Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 36,7.5ns,3.3V I/O,100 Pin TQFP, RoHS No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 800
Múlt.: 800
: 800

36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 2.375 V 300 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel