Tray DRAM

Resultados: 918
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tipo
Tamaño de memoria
Anchura de bus de datos
Frecuencia máxima de reloj
Empaquetado / Estuche
Organización
Tiempo de acceso
Tensión del suministro - Mín
Tensión del suministro - Máx
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
Zentel Japan DRAM DDR3L 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-78
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 2.420
Múlt.: 2.420

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 1.066 GHz FPGA-78 512 M x 8 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C DDR3L Tray
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 2.090
Múlt.: 2.090

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 933 MHz FPGA-96 256 M x 16 1.283 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3(L) Tray
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 2.090
Múlt.: 2.090

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 933 MHz FPGA-96 256 M x 16 1.283 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3(L) Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 2.090
Múlt.: 2.090

SDRAM - DDR3 4 Gbit 16 bit 1.066 GHz FPGA-96 256 M x 16 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 2.090
Múlt.: 2.090

SDRAM - DDR3 4 Gbit 16 bit 1.066 GHz FPGA-96 256 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3L 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-96
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 2.090
Múlt.: 2.090

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 1.066 GHz FPGA-96 256 M x 16 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C DDR3L Tray
Zentel Japan DRAM DDR3L 8Gb, 1024Mx8 (1CS, 1ZQ), 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-78, Ind. Temp.
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 2.200
Múlt.: 2.200

Tray
Zentel Japan DRAM DDR3L 8Gb, 512Mx16 (1CS, 1ZQ), 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-96
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 1.900
Múlt.: 1.900

SDRAM - DDR3L 8 Gbit 16 bit 800 MHz FPGA-96 512 M x 16 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C DDR3L Tray
Zentel Japan DRAM DDR3L 8Gb, 512Mx16 (1CS, 1ZQ), 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-96, Ind. Temp.
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 1.900
Múlt.: 1.900

Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 136
Múlt.: 136

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 136
Múlt.: 136

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 105 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 136
Múlt.: 136

SDRAM - LPDDR4X 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 136
Múlt.: 136

SDRAM - LPDDR4X 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 105 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 136
Múlt.: 136

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 32 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA(10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 136
Múlt.: 136

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 32 570 mV 650 mV - 40 C + 105 C Tray
ISSI DRAM M-SDRAM,128M,3.3V 166MHz,4Mx32, IT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM Mobile 128 Mbit 166 MHz BGA-90 4 M x 32 8 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM32400H Tray
ISSI DRAM 2G 256Mx8 400MHz DDR2 1.8V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 242
Múlt.: 242

SDRAM - DDR2 2 Gbit 8 bit 400 MHz BGA-60 256 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR82560C Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 64M x 8 DDR2
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz BGA-60 64 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400D Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, IT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 333 MHz BGA-60 64 M x 8 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400E Tray
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1866MT/s 1.5V DDR3 I-Temp
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 190
Múlt.: 190

SDRAM - DDR3 2 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 85 C IS43TR16128D Tray
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1866MT/s 1.5V DDR3
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR3 2 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16128D Tray
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IS43TR16128DL Tray
ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 136
Múlt.: 136

SDRAM - DDR3 8 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 512 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16512B Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 209
Múlt.: 209

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C IS46DR16320C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 209
Múlt.: 209

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS46DR16320D Tray