DRAM

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tipo
Tamaño de memoria
Anchura de bus de datos
Frecuencia máxima de reloj
Empaquetado / Estuche
Organización
Tiempo de acceso
Tensión del suministro - Mín
Tensión del suministro - Máx
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
Alliance Memory AS4C128M16D3LG-12BCN
Alliance Memory DRAM DDR3L, 2G, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, COMMERCIAL TEMP, G Die
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 6 Semanas
Mín.: 198
Múlt.: 198
Tray
Alliance Memory AS4C64M16D3W-12BCN
Alliance Memory DRAM DDR3, 1Gb, 64M X 16, 1.5V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, Commercial Temp, W Die
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 6 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Tray
ISSI DRAM 256M (8Mx32) 166MHz SDR SDRAM 3.3v
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 240
Múlt.: 240

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S32800D Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V 64Mx8 DDR2
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 333 MHz BGA-60 64 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400D Bulk
ISSI DRAM 256Mb, 1.8V, 400MHz 16Mx16 DDR2 SDRAM
Hoja de datos
No en almacén

SDRAM - DDR2 256 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 16 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR16160B Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
Hoja de datos
No en almacén

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160D Tray
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
Hoja de datos
No en almacén

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
Hoja de datos
No en almacén

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
Hoja de datos
No en almacén

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, 200Mhz 16Mx16 DDR SDRAM
Hoja de datos
No en almacén

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS46R16160D Tray
Alliance Memory DRAM 512M, 1.8V, 32M x 16 DDR2
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 70 C AS4C32M16D2 Tray
Alliance Memory DRAM 64Mb, 3.3V, 200Mhz 4M x 16 DDR
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR 64 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 4 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C4M16D1 Tray
Alliance Memory DRAM LPDDR1, 2G, 64M x 32, 1.8v, 200 MHz 90-BALL FBGA, Commercial Temp - Tray
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM Mobile - LPDDR 2 Gbit 32 bit 200 MHz FBGA-90 64 M x 32 5 ns 1.7 V 1.95 V - 25 C + 85 C AS4C64M32MD1 Tray
Alliance Memory DRAM LPDDR1, 2G, 64M x 32, 1.8v, 200 MHz 90-BALL FBGA, Industrial Temp - Tray
Hoja de datos
Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM Mobile - LPDDR 2 Gbit 32 bit 200 MHz FBGA-90 64 M x 32 5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C64M32MD1 Tray
Zentel Japan A3T4GF30CBF-HP
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L ECC 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78 No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 2.200
Múlt.: 2.200

DDR3(L) ECC Tray
Zentel Japan A3T4GF30CBF-HPI
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L ECC 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78 Ind. Temp. No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 2.200
Múlt.: 2.200

DDR3(L) ECC Tray
Zentel Japan A3T4GF40CBF-HP
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L ECC 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96 No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 1.900
Múlt.: 1.900

DDR3(L) ECC Tray
Zentel Japan A3T4GF40CBF-HPI
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L ECC 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96 Ind. Temp. No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 1.900
Múlt.: 1.900

DDR3(L) ECC Tray
Alliance Memory AS4C128M16MD4V-062BAN
Alliance Memory DRAM LPDDR4X, 2Gb, 128M x 16, 0.6V, 200ball TFBGA, 1600MHZ, ECC, AUTO TEMP - Tray
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 680
Múlt.: 136

SDRAM Mobile - LPDDR4 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-200 128 M x 16 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C Tray
Alliance Memory AS4C128M32MD4A-062BIN
Alliance Memory DRAM LPDDR4(1.1v), 4Gb (x32), 1600MHz Industrial Grade in 200b FBGA Package with ECC
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 136
Múlt.: 136

Tray
Alliance Memory AS4C512M16MD4VA-046BIN
Alliance Memory DRAM LPDDR4X(0.6v), 8Gb (x16), 2133MHz Industrial Grade in 200b FBGA Package -40C to +85C
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Tray
Alliance Memory AS4C512M32MD4VA-046BIN
Alliance Memory DRAM LPDDR4X, 16Gb, 512M x 32, 0.6V, 200ball TFBGA, 2133MHZ, INDUSTRIAL TEMP, RevA
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 120
Múlt.: 120
Tray
Alliance Memory AS4C256M16MD4A-046BIN
Alliance Memory DRAM LPDDR4(1.1v), 4Gb (x16), 2133MHz Industrial Grade in 200b FBGA Package
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 136
Múlt.: 136

Tray
Alliance Memory AS4C256M16MD4V-062BAN
Alliance Memory DRAM LPDDR4X, 4Gb, 256M x 16, 0.6V, 200ball TFBGA, 1600MHZ, ECC, AUTO TEMP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 680
Múlt.: 136

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-200 256 M x 16 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C Tray
Alliance Memory AS4C256M32MD4A-046BIN
Alliance Memory DRAM LPDDR4(1.1v), 8Gb (x32), 2133MHz Industrial Grade in 200b FBGA Package
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 136
Múlt.: 136

Tray