SMD/SMT DRAM

Resultados: 1.957
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tipo Tamaño de memoria Anchura de bus de datos Frecuencia máxima de reloj Empaquetado / Estuche Organización Tiempo de acceso Tensión del suministro - Mín Tensión del suministro - Máx Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Serie Empaquetado
ISSI IS66WVH32M8DALL-166B1LI
ISSI DRAM 256Mb, HyperRAM, 32Mbx8, 1.8V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
1.920Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
HyperRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz 32 M x 8 36 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C
ISSI IS43LR16640C-5BLI
ISSI DRAM 1G, 1.8V, Mobile DDR, 64Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT
280Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

BGA-60
ISSI IS43LR16640C-6BLI
ISSI DRAM 1G, 1.8V, Mobile DDR, 64Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT
300Fecha prevista: 11/08/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

BGA-60
ISSI IS46QR16512A-075VBLA2
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s at 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
136Fecha prevista: 16/12/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

BGA-96
Alliance Memory AS4C128M16MD2A-25BIN
Alliance Memory DRAM LPDDR2, 2G, 128M X 16, 1.2V, 134ball BGA A-DIE INDUSTRIAL TEMP - Tray
121Fecha prevista: 21/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-134 128 M x 16 5.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C128M16MD2A-25 Tray
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II, RoHS 108En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32160F
ISSI DRAM 128M, 1.8V, Mobile SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
230Fecha prevista: 11/08/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM Mobile BGA-90 IS42VM32400H Reel
ISSI DRAM 512M 64Mx8 400MHz DDR2 1.8V
242Fecha prevista: 12/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz BGA-60 64 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400E
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3L 1.35V
10Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IS43TR16128CL Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, Cu 54 pin TSOP II RoHS
108Fecha prevista: 10/08/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S16160J
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS
348Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz BGA-54 32 M x 8/16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
190Fecha prevista: 22/07/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R16160F
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz
216Fecha prevista: 10/08/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160F Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
108Fecha prevista: 26/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R16320F
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
108Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
239Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
200Fecha prevista: 19/03/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 1.65 V 1.95 V - 40 C + 85 C
Alliance Memory DRAM 512M 3.3V 133MHz 64M x 8 COM TEMP
108Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C MT48LC Tray
ISSI IS46TR16640C-125JBLA2
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
190Fecha prevista: 10/08/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

BGA-96
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 128Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96, Ind. Temp. No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 2.090
Múlt.: 2.090

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 16 bit 933 MHz FPGA-96 128 M x 16 1.283 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3(L) Tray
SMARTsemi DRAM DDR4, 8Gb, 1Gbx8, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 78-ball FBGA, Industrial temp No en almacén Plazo producción 6 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR4 8 Gbit 8 bit 1.6 GHz FBGA-78 1 G x 8 1.14 V 1.26 V - 40 C + 85 C
Intelligent Memory DRAM DDR2 1Gb, 1.8V, 64Mx16, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-84 No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IM1G16D2 Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 120
Múlt.: 120

SDRAM - LPDDR4X 24 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 768 M x 32 600 mV 1.8 V - 20 C + 85 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 3.3V, 16Mx16, 166MHz (166Mbps), 0C to +70C, FBGA-54 No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 16 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IM2516SD Tray
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 3.3V, 16Mx16, 166Mhz (1666Mbps), -40C to +85C, FBGA-54 No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 16 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IM2516SD Tray