0 C DRAM

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tipo Tamaño de memoria Anchura de bus de datos Frecuencia máxima de reloj Empaquetado / Estuche Organización Tiempo de acceso Tensión del suministro - Mín Tensión del suministro - Máx Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Serie Empaquetado
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 104
Múlt.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 36 bit 533 MHz WBGA-144 16 M x 36 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C IS49NLC36160A
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 400MHz, tRC=15ns, RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 104
Múlt.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 36 bit 400 MHz WBGA-144 16 M x 36 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLC36160A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 104
Múlt.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 9 bit 400 MHz WBGA-144 64 M x 9 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLC96400A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 104
Múlt.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 533 MHz WBGA-144 32 M x 18 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLS18320A
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 104
Múlt.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 400 MHz FBGA-144 32 M x 18 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLS18320A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 104
Múlt.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 9 bit 400 MHz WBGA-144 64 M x 9 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLS96400A Bulk
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 32M x 16 DDR2 No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR16320D Tray
ISSI DRAM 1G (64Mx16) 400MHz 1.8v DDR2 SDRAM Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz BGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 70 C IS43DR16640B Tray
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 242
Múlt.: 242

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 400 MHz BGA-60 128 M x 8 1.7 V 1.9 V 0 C + 70 C IS43DR81280B Tray
ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 136
Múlt.: 136

SDRAM - DDR3 8 Gbit 8 bit 800 MHz BGA-78 1 G x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR81024B
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16160J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 166 MHz BGA-54 32 M x 8/16 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 166 MHz BGA-54 32 M x 8/16 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8/16 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz BGA-54 32 M x 8/16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8/16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 128 Mbit 8 bit/16 bit 166 MHz TSOP-II-54 16 M x 8/8 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 128 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz BGA-54 16 M x 8/8 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

SDRAM 128 Mbit 8 bit/16 bit 166 MHz BGA-54 16 M x 8/8 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

SDRAM 128 Mbit 8 bit/16 bit 166 MHz TSOP-II-54 16 M x 8/8 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

SDRAM 128 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz BGA-54 16 M x 8/8 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C