- 40 C DRAM

Resultados: 1.102
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tipo
Tamaño de memoria
Anchura de bus de datos
Frecuencia máxima de reloj
Empaquetado / Estuche
Organización
Tiempo de acceso
Tensión del suministro - Mín
Tensión del suministro - Máx
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
Alliance Memory DRAM 256Mb, 3.3V, 143Mhz 8M x 32 SDRAM
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
: 2.000

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz FBGA-90 8 M x 32 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C AS4C8M32SA Reel
Alliance Memory DRAM DDR3L, 8Gb, 512M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 933MHZ INDUSTRIAL TEMP , C Die(MT41K512M16HA-125IT:A)
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 40 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR3L 8 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 512 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C Tray
Alliance Memory DRAM SDR, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 166 MHz, Industrial Temp(.63) Tape and Reel, B Die
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 16 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
Alliance Memory DRAM SDR, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, industrial temp(.63) Tape and Reel, B Die
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
Alliance Memory DRAM SDR, 512Mb, 32M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 143MHz, Industrial Temp, B Die,T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz FBGA-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
Alliance Memory DRAM LPSDRAM, 256M, 8MX 32, 1.8V, 90 BALL, BGA, 8 X 32MM, 166MHZ, INDUSTRIAL TEMP, B DIE, T&R
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
: 2.000
SDRAM Mobile 256 Mbit 32 bit 166 MHz FBGA-90 8 M x 32 5.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 256Mb, 1.8V, 333MHz 16Mx16 DDR2 SDRAM
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 5 Semanas

SDRAM - DDR2 256 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 16 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS43DR16160B Tray
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 5 Semanas

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-60 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160D Tray
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 7 Semanas

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16320D Tray
Alliance Memory DRAM DDR4, 8Gb, 1G x 8, 1.2V, 78-ball FBGA, 1600Mhz, Industrial Temp, Rev.A - Tray
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR4 1 Gbit 8 bit 1.6 GHz FBGA-78 1 G x 8 18 ns 1.14 V 1.26 V - 40 C + 95 C Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V 64Mx8 DDR2
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
: 2.000
SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 333 MHz BGA-60 64 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400D Reel
ISSI DRAM LPDDR2 512Mb 533MHz 64Mx32 IT
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 512 Mbit 16 bit 533 MHz FBGA-134 16 M x 32 18 ns 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD32160A
ISSI DRAM 256M (8Mx32) 166MHz SDR SDRAM 3.3v
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 240
Múlt.: 240

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S32800D Tray
ISSI DRAM 256M (8Mx32) 166MHz SDRAM 3.3v
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S32800D Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V 64Mx8 DDR2
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 333 MHz BGA-60 64 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400D Bulk
ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 136
Múlt.: 136

SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 16 bit 1.6 GHz 256 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 16Mb 1Mx16 50ns Async FP DRAM
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

FPM DRAM 16 Mbit 16 bit SOJ-42 1 M x 16 50 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS41LV16105D Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
Hoja de datos
No en almacén

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
Hoja de datos
No en almacén

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, 200Mhz 16Mx16 DDR SDRAM
Hoja de datos
No en almacén

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS46R16160D Tray
Alliance Memory DRAM LPDDR1, 2Gb, 64M x 32, 1.8v, 200MHz, 90-BALL FBGA, Industrial Temp A die, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

SDRAM Mobile - LPDDR 2 Gbit 32 bit 200 MHz FBGA-90 64 M x 32 6.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
Alliance Memory DRAM LPDDR1, 2G, 64M x 32, 1.8v, 200 MHz 90-BALL FBGA, Industrial Temp - Tray
Hoja de datos
Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM Mobile - LPDDR 2 Gbit 32 bit 200 MHz FBGA-90 64 M x 32 5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C64M32MD1 Tray
ISSI IS42SM16400M-75BLI-TR
ISSI DRAM 64M, 3.3V, Mobile SDRAM, 4Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

SDRAM Mobile 64 Mbit 16 bit 133 MHz FBGA-54 4 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM16400M Reel
ISSI IS43LD16256C-18BLI-TR
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 256Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
: 2.000

SDRAM 4 Gbit 16 bit 533 MHz TFBGA-134 256 M x 16 5.5 ns 1.14 V, 1.7 V 1.3 V, 1.95 V - 40 C + 85 C Reel