- 40 C DRAM

Resultados: 1.107
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tipo
Tamaño de memoria
Anchura de bus de datos
Frecuencia máxima de reloj
Empaquetado / Estuche
Organización
Tiempo de acceso
Tensión del suministro - Mín
Tensión del suministro - Máx
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb QSPI (x1,x4) SDR 144MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
: 5.000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 4 bit / 1 bit 144 MHz WLCSP-8 8 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
: 5.000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz WLCSP-13 8 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24
Hoja de datos
Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 8 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray
GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

LLDRAM II 288 Mbit 18 bit 533 MHz uBGA-144 16 M x 18 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C Tray
GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

LLDRAM II 288 Mbit 18 bit 533 MHz uBGA-144 16 M x 18 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C Tray
GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR 576 Mbit 18 bit 400 MHz uBGA-144 32 M x 18 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C Tray
GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR 576 Mbit 18 bit 400 MHz uBGA-144 32 M x 18 20 ns 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C Tray
GSI Technology DRAM 16M x 36 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR 576 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 16 M x 36 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C Tray
GSI Technology DRAM 16M x 36 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR 576 Mbit 36 bit 400 MHz uBGA-144 16 M x 36 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C Tray
GSI Technology DRAM 16M x 36 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR 576 Mbit 36 bit 400 MHz uBGA-144 16 M x 36 20 ns 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C Tray
Infineon Technologies S80KS2564GACHA040
Infineon Technologies DRAM SPCM
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 260
Múlt.: 260

HyperRAM 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies S80KS2564GACHA043
Infineon Technologies DRAM SPCM
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

HyperRAM 256 Mbit 32 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies S80KS2564GACHB040
Infineon Technologies DRAM SPCM
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 260
Múlt.: 260

HyperRAM 256 Mbit 32 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S80KS2564GACHB043
Infineon Technologies DRAM SPCM
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

HyperRAM 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Reel
Infineon Technologies S27KL0643GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 3.380
Múlt.: 3.380

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz 8 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S70KL1283DPBHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM
Hoja de datos
Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 166 MHz 16 M x 8 36 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray
AP Memory APS12808O-OBR-WB
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
: 5.000

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 200 MHz WLCSP-15 16 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Reel
AP Memory APS256XXN-OB9-WA
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
: 5.000

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz WLCSP-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory APS256XXN-OBX9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ext.. Temp., BGA24
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 4.800
Múlt.: 4.800

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz BGA-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
: 3.000

PSRAM (Pseudo SRAM) 32 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 4 M x 8 7 ns 1.65 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
: 3.000

PSRAM (Pseudo SRAM) 32 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 4 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
Alliance Memory DRAM 1G, 1.8V, 128M x 16 DDR2 I Temp
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
: 2.000

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 400 MHz FBGA-60 128 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C AS4C128M8D2A Reel
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 32M X 16, 2.5V, 60-ball BGA, 200 MHz, Industriall Temp, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TFBGA-60 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C32M16D1 Reel
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 32M X 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Industrial Temp (A) Tape and Reel
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 6 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C32M16D1A Reel
Alliance Memory DRAM 1G 1.35V 800MHz 64Mx16 DDR3 A-Temp
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
: 2.000

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 105 C AS4C64M16D3LB Reel