ISSI DRAM

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tipo
Tamaño de memoria
Anchura de bus de datos
Frecuencia máxima de reloj
Empaquetado / Estuche
Organización
Tiempo de acceso
Tensión del suministro - Mín
Tensión del suministro - Máx
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
ISSI IS49NLC36160A-25WBL
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 104
Múlt.: 104

ISSI IS49NLC36800A-18WBL
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x36, Common I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 104
Múlt.: 104

ISSI IS49NLC36800A-25WBL
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x36, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 104
Múlt.: 104

ISSI IS49NLC93200A-18WBL
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Common I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 104
Múlt.: 104

ISSI IS49NLC93200A-25WBL
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 104
Múlt.: 104

ISSI IS49NLC96400A-18WBL
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Common I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 104
Múlt.: 104

ISSI IS49NLS18160A-18WBL
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Separate I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 104
Múlt.: 104

ISSI IS49NLS18160A-25WBL
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

ISSI IS49NLS93200A-18WBL
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Separate I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 104
Múlt.: 104

ISSI IS49NLS93200A-25WBL
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 104
Múlt.: 104

ISSI IS49NLS96400A-18WBL
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Separate I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 104
Múlt.: 104

ISSI IS49RL18320A-093FBL
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 1066Mhz, tRC=7.5ns, RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 119
Múlt.: 119

ISSI IS49RL18320A-107EBL
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=8ns, RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 119
Múlt.: 119

ISSI IS49RL18640-093EBLI
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 1.15Gbit, x18, Common I/O, 1066Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 119
Múlt.: 119

ISSI IS49RL18640-093FBLI
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 1.15Gbit, x18, Common I/O, 1066Mhz, tRC=7.5ns, RoHS, Ind. Temp No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 119
Múlt.: 119

ISSI IS49RL18640-107EBLI
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 1.15Gbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 119
Múlt.: 119

ISSI IS49RL36160A-093EBL
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 1066Mhz, tRC=8ns, RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 119
Múlt.: 119

ISSI IS49RL36160A-093FBL
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 1066Mhz, tRC=7.5ns, RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 119
Múlt.: 119

ISSI IS49RL36160A-107EBL
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 933Mhz, tRC=8ns, RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 119
Múlt.: 119

ISSI IS49RL36320-093EBLI
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 1.15Gbit, x36, Common I/O, 1066Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 119
Múlt.: 119

ISSI IS49RL36320-093FBLI
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 1.15Gbit, x36, Common I/O, 1066Mhz, tRC=7.5ns, RoHS, Ind. Temp No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 119
Múlt.: 119

ISSI IS49RL36320-107EBLI
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 1.15Gbit, x36, Common I/O, 933Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 119
Múlt.: 119

ISSI IS66WVH64M8DBLL-166B1LI-TR
ISSI DRAM 512Mb, HyperRAM, 64Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 100 MHz TFBGA-24 64 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI IS43TR16512S2DL-107MBLI-TR
ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS, IT, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500
BGA-96 Reel
ISSI IS46TR16256ECL-125LB2LA1-TR
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.35V, DDR3L w/ ECC,256Mx16, 1600MT/s at 12-11-11, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
: 2.000

BGA-96 Reel