ISSI DRAM

Resultados: 1.390
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tipo Tamaño de memoria Anchura de bus de datos Frecuencia máxima de reloj Empaquetado / Estuche Organización Tiempo de acceso Tensión del suministro - Mín Tensión del suministro - Máx Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Serie Empaquetado
ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 136
Múlt.: 136

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 32 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Tray

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 166 MHz TFBGA-24 8 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

SDRAM Mobile - LPDDR4 8 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 512 M x 16 3.5 ns 1.06 V, 1.7 V 1.17 V, 1.95 V - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s at 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
: 2.000
BGA-96 Reel
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s at 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
: 2.000
BGA-96 Reel
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2666MT/s at 19-19-19, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
: 2.000
BGA-78 Reel
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2400MT/s at 17-17-17, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
: 2.000
BGA-78 Reel
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s at 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
: 2.000
BGA-96 Reel
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s at 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
: 2.000
BGA-96 Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +125C), 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 190
Múlt.: 190

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 125 C IS46TR16640ED
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2666MT/s at 19-19-19, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
: 2.000
BGA-78 Reel
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2400MT/s at 17-17-17, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
: 2.000
BGA-78 Reel
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
: 3.000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 1.65 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
: 3.000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.500

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8/16 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.500

SDRAM 128 Mbit 8 bit/16 bit 166 MHz TSOP-II-54 16 M x 8/8 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

SDRAM 128 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 4 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

SDRAM 128 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, IT, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 8 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel