ISSI DRAM

Resultados: 1.390
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tipo
Tamaño de memoria
Anchura de bus de datos
Frecuencia máxima de reloj
Empaquetado / Estuche
Organización
Tiempo de acceso
Tensión del suministro - Mín
Tensión del suministro - Máx
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.66 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.66 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 240
Múlt.: 240

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 128 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 240
Múlt.: 240

SDRAM 128 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 240
Múlt.: 240

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166MHz, 86 pin, TSOP II (400 mil) RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 240
Múlt.: 240

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 8 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143MHz, 86 pin, TSOP II (400 mil) RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
: 2.000

SDRAM - LPDDR2 2 Gb 4 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 32 10 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
: 2.000

SDRAM - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

SDRAM - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 533 MHz BGA-168 128 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 171
Múlt.: 171

SDRAM - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 400 MHz BGA-134 128 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
: 2.000

SDRAM - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 400 MHz BGA-134 128 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

SDRAM - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 400 MHz BGA-168 128 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 136
Múlt.: 136

SDRAM - LPDDR4 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 136
Múlt.: 136

SDRAM - LPDDR4 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 105 C Tray
ISSI DRAM 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

SDRAM - LPDDR4 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 136
Múlt.: 136

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 136
Múlt.: 136

SDRAM - LPDDR4 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C Tray
ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

SDRAM - LPDDR4 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 136
Múlt.: 136

SDRAM - LPDDR4X 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 136
Múlt.: 136

SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 32 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 32 1.06 V 1.17 V - 40 C + 105 C Tray
ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 32 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C Reel