ISSI DRAM

Resultados: 1.390
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tipo Tamaño de memoria Anchura de bus de datos Frecuencia máxima de reloj Empaquetado / Estuche Organización Tiempo de acceso Tensión del suministro - Mín Tensión del suministro - Máx Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Serie Empaquetado
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 190
Múlt.: 190

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R86400F
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 190
Múlt.: 190

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R86400F
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R86400F
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R86400F
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R86400F Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R86400F Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R86400F Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R86400F Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 16M, 3.3V, SDRAM, 1Mx16, 143Mhz, 60 ball BGA (6.4mmx10.1mm) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 286
Múlt.: 286

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-60 1 M x 16 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16100H
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 16M, 3.3V, SDRAM, 1Mx16, 143Mhz, 60 ball BGA (6.4mmx10.1mm) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 286
Múlt.: 286

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-60 1 M x 16 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS42S16100H
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 348
Múlt.: 348

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 166 MHz BGA-54 32 M x 8/16 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz BGA-54 32 M x 8/16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz BGA-54 32 M x 8/16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8/16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8x8mm) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 348
Múlt.: 348

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8x8mm) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 348
Múlt.: 348

SDRAM 128 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 8 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 128 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 8 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 240
Múlt.: 240

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.66 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.66 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.66 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 240
Múlt.: 240

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.66 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.66 V - 40 C + 105 C