ISSI DRAM

Resultados: 1.390
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tipo
Tamaño de memoria
Anchura de bus de datos
Frecuencia máxima de reloj
Empaquetado / Estuche
Organización
Tiempo de acceso
Tensión del suministro - Mín
Tensión del suministro - Máx
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II, RoHS
Hoja de datos
108Fecha prevista: 24/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32160F
ISSI DRAM 128M, 1.8V, Mobile SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
Hoja de datos
230Fecha prevista: 11/08/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM Mobile BGA-90 IS42VM32400H Reel
ISSI DRAM 512M 64Mx8 400MHz DDR2 1.8V
Hoja de datos
242Fecha prevista: 12/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz BGA-60 64 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400E
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3L 1.35V
Hoja de datos
10Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IS43TR16128CL Tray
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 8 bit BGA-78 256 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR82560DL
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, Cu 54 pin TSOP II RoHS
Hoja de datos
108Fecha prevista: 10/08/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S16160J
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143MHz, 86 pin, TSOP II (400 mil) RoHS
Hoja de datos
90Fecha prevista: 19/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S32800J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS
Hoja de datos
348Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz BGA-54 32 M x 8/16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
Hoja de datos
190Fecha prevista: 22/07/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R16160F
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz
Hoja de datos
216Fecha prevista: 10/08/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160F Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
Hoja de datos
108Fecha prevista: 02/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R16320F
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
Hoja de datos
108Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Hoja de datos
239Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Hoja de datos
200Fecha prevista: 19/03/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 1.65 V 1.95 V - 40 C + 85 C
ISSI IS46TR16640C-125JBLA2
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
Hoja de datos
190Fecha prevista: 10/08/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

BGA-96
ISSI DRAM 16G, 1.35V, DDR3L, 1Gx16,1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
SDRAM - DDR3L 16 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 1 G x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS43TR16K01S2L
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
: 3.000

PSRAM (Pseudo SRAM) 32 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 4 M x 8 7 ns 1.65 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
: 3.000

PSRAM (Pseudo SRAM) 32 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 4 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 256M 16Mx16 143MHz SDRAM, 3.3v
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 6 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

SDRAM 256 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16160G Reel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, 143Mhz 2Mx32 SDR SDRAM
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 240
Múlt.: 240

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 2 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS45S32200L Tray
ISSI DRAM 16G, 1.35V, DDR3L, 1Gx16,1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
: 2.000
SDRAM - DDR3L 16 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 1 G x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS43TR16K01S2L Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

SDRAM - LPDDR4 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

SDRAM - LPDDR4 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 136
Múlt.: 136

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Reel