+ 105 C CIs de memoria

Resultados: 1.578
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Producto Tipo de producto Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Tamaño de memoria Tipo de interfaz
AP Memory APS256XXN-OBX9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ext.. Temp., BGA24 No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 4.800
Múlt.: 4.800

DRAM SMD/SMT BGA-24 256 Mbit
Macronix MX25U6432FBBJ02-TR
Macronix Flash NOR Serial NOR 1.8V 64Mbit x4 I/O WLCSP-14 +105C No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 6.000
Múlt.: 6.000
: 6.000
NOR Flash SMD/SMT WLCSP-14 64 Mbit SPI
Alliance Memory DRAM 1G 1.35V 800MHz 64Mx16 DDR3 A-Temp No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
: 2.000

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
Avalanche Technology MRAM Avalanche High Performance Serial P-SRAM 16Mb in WSON8 package with QSPI - 108MHz interface, 3V, -40 C to 105 C No en almacén Plazo producción 4 Semanas
Mín.: 1.365
Múlt.: 455

MRAM SMD/SMT WSON-8 16 Mbit QSPI
Avalanche Technology MRAM No en almacén Plazo producción 4 Semanas
Mín.: 1.008
Múlt.: 168
MRAM SMD/SMT FBGA-48 4 Mbit Parallel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, 143Mhz 2Mx32 SDR SDRAM No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 240
Múlt.: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 64 Mbit
Zentel Japan DRAM DDR2 512Mb, 32Mx16, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-84, 105C No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000

DRAM SMD/SMT FPGA-84 512 Mbit
Zentel Japan DRAM DDR2 1Gb, 64Mx16, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-84, 105C No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000

DRAM SMD/SMT FPGA-84 1 Gbit
ISSI Flash NOR 64Mb, 48pin TSOP,3V, RoHS, T&R, Lowest Sector Protected, Uniform Sector No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500
NOR Flash SMD/SMT TSOP-48 64 Mbit Parallel
ISSI Flash NOR 64Mb, 48pin TSOP,3V, RoHS, T&R, Highest Sector Protected, Uniform Sector No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500
NOR Flash SMD/SMT TSOP-48 64 Mbit Parallel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 136
Múlt.: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +115C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 190
Múlt.: 190
DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT BGA-200
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 136
Múlt.: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT BGA-200
ISSI DRAM 1333MT/s 64MX16 DDR3 SDRAM with ECC No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit

ISSI SRAM 128Mb, HyperRAM, 16Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 480
Múlt.: 480

SRAM SMD/SMT TFBGA-24 128 Mb
ISSI Flash NOR 64Mb QPI/QPI/QSPI, 8-pin WSON 5X6MM, RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.500

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 64 Mbit QPI, SPI
ISSI Flash NOR 128Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6X8MM, RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 4.000
Múlt.: 4.000
: 4.000

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 128 Mbit QPI, SPI

ISSI Flash NOR 128Mb QPI/QSPI, 16-pin SOP 300Mil, RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

NOR Flash SMD/SMT SOIC-16 128 Mbit QPI, SPI
ISSI Sistemas de almacenamiento Flash universal - UFS 512Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6x8mm, RoHS, T&R, new die, Auto Grade No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 4.000
Múlt.: 4.000
: 4.000

Flash Memory Universal Flash Storage (UFS) SMD/SMT WSON-8 512 Mb QPI
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +115C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500
DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit

ISSI SRAM 256Mb, OctalRAM, 32Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

SRAM SMD/SMT TFBGA-24 256 Mb OPI