4 Gbit CIs de memoria

Resultados: 306
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Producto Tipo de producto Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Tamaño de memoria Tipo de interfaz
GigaDevice GD5F4GM8UEBIGY
GigaDevice Flash NAND No en almacén
Mín.: 4.800
Múlt.: 4.800

NAND Flash SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit DTR/Dual/Quad SPI, SPI
GigaDevice GD5F4GM8UEYJGR
GigaDevice Flash NAND No en almacén
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
: 3.000

NAND Flash SMD/SMT WSON-8 4 Gbit DTR/Dual/Quad SPI, SPI
GigaDevice GD9FS4G8F4DLGI
GigaDevice Flash NAND No en almacén
Mín.: 2.100
Múlt.: 2.100

NAND Flash SMD/SMT FBGA-63 4 Gbit Parallel
GigaDevice GD9FS4G8F4DMGI
GigaDevice Flash NAND No en almacén
Mín.: 960
Múlt.: 960

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 4 Gbit Parallel
GigaDevice GD9FU4G8F3ALGJ
GigaDevice Flash NAND No en almacén
Mín.: 2.100
Múlt.: 2.100

NAND Flash SMD/SMT FBGA-63 4 Gbit Parallel
GigaDevice GD9FU4G8F3AMG2
GigaDevice Flash NAND No en almacén
Mín.: 960
Múlt.: 960

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 4 Gbit Parallel
GigaDevice GD9FU4G8F3AMGJ
GigaDevice Flash NAND No en almacén
Mín.: 960
Múlt.: 960

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 4 Gbit Parallel
GigaDevice GD9FU4G8F4DLGI
GigaDevice Flash NAND No en almacén
Mín.: 2.100
Múlt.: 2.100

NAND Flash SMD/SMT FBGA-63 4 Gbit Parallel
GigaDevice GD9FU4G8F4DMGI
GigaDevice Flash NAND No en almacén
Mín.: 960
Múlt.: 960

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 4 Gbit Parallel
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78 No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 2.420
Múlt.: 2.420

DRAM SMD/SMT FPGA-78 4 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 2.420
Múlt.: 2.420

DRAM SMD/SMT FPGA-78 4 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78 No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 2.420
Múlt.: 2.420

DRAM SMD/SMT FPGA-78 4 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 2.420
Múlt.: 2.420

DRAM SMD/SMT FPGA-78 4 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3L 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-78 No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 2.420
Múlt.: 2.420

DRAM SMD/SMT FPGA-78 4 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96 No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 2.090
Múlt.: 2.090

DRAM SMD/SMT FPGA-96 4 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96, Ind. Temp. No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 2.090
Múlt.: 2.090

DRAM SMD/SMT FPGA-96 4 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96 No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 2.090
Múlt.: 2.090

DRAM SMD/SMT FPGA-96 4 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp. No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 2.090
Múlt.: 2.090

DRAM SMD/SMT FPGA-96 4 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3L 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-96 No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 2.090
Múlt.: 2.090

DRAM SMD/SMT FPGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500
DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 136
Múlt.: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit