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CoolSIC MOSFET de SiC

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Seleccionar	Imagen	Número de referencia	Fabr.	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.	Cant.	RoHS	Modelo ECAD	Estilo de montaje	Empaquetado / Estuche	Número de canales	Vds (Tensión separación drenador-fuente)	Id: corriente de drenaje continuo	Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)	Vgs (tensión de compuerta-fuente)	Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)	Qg (carga de compuertas)	Temperatura operativa mínima	Temperatura operativa máxima	Pd (disipación de potencia)	Modo canal	Nombre comercial
	MOSFET de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package IMYH200R024M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 39,07 € 1.577En existencias 1.200Fecha prevista: 26/11/2026	Fabr. N.º Ref. IMYH200R024M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMYH200R024M1HXK	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package Más información sobre Infineon Technologies infineon 2000v coolsic mosfets	Hoja de datos	1.577En existencias 1.200Fecha prevista: 26/11/2026	39,07 € 29,05 €	Mín.: 1 Múlt.: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	2 kV	89 A	33 mOhms	- 10 V, + 23 V	3.5 V	137 nC	- 55 C	+ 150 C	576 W	Enhancement	CoolSIC
	MOSFET de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package IMYH200R075M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 19,29 € 1.206En existencias	Fabr. N.º Ref. IMYH200R075M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMYH200R075M1HXK	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package Más información sobre Infineon Technologies infineon 2000v coolsic mosfets	Hoja de datos	1.206En existencias	19,29 € 14,41 € 12,46 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 Máx.: 240			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	2 kV	34 A	98 mOhms	- 10 V, + 23 V	3.5 V	64 nC	- 55 C	+ 150 C	267 W	Enhancement	CoolSIC
	MOSFET de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package IMYH200R050M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 22,77 € 83En existencias 1.920Fecha prevista: 02/11/2026	Fabr. N.º Ref. IMYH200R050M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMYH200R050M1HXK	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package Más información sobre Infineon Technologies infineon 2000v coolsic mosfets	Hoja de datos	83En existencias 1.920Fecha prevista: 02/11/2026	22,77 € 18,24 € 15,77 € 14,92 € Cotización Cotización	Mín.: 1 Múlt.: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	2 kV	48 A	64 mOhms	- 10 V, + 23 V	3.5 V	82 nC	- 55 C	+ 150 C	348 W	Enhancement	CoolSIC
	MOSFET de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package IMYH200R100M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 16,21 € 3.859Pedido	Fabr. N.º Ref. IMYH200R100M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMYH200R100M1HXK	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package Más información sobre Infineon Technologies infineon 2000v coolsic mosfets	Hoja de datos	3.859Pedido En las fechas de envío del pedido Fabr. N.º: IMYH200R100M1HXKSA1 Existencias: 0 Pedido: 1.939 Fecha prevista: 24/06/2027 1.920 Por determinar Plazo de producción de fábrica: 52 Semanas	16,21 € 12,11 € 10,47 € 9,91 € 9,25 €	Mín.: 1 Múlt.: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	2 kV	26 A	131 mOhms	- 10 V, + 23 V	3.5 V	55 nC	- 55 C	+ 150 C	217 W	Enhancement	CoolSIC
	MOSFET de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package IMYH200R012M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 78,60 € 5.907Fecha prevista: 09/09/2027	Fabr. N.º Ref. IMYH200R012M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMYH200R012M1HXK	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package Más información sobre Infineon Technologies infineon 2000v coolsic mosfets	Hoja de datos	5.907Fecha prevista: 09/09/2027	78,60 € 64,95 € 58,51 €	Mín.: 1 Múlt.: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	2 kV	123 A	16.5 mOhms	- 10 V, + 23 V	3.5 V	246 nC	- 55 C	+ 150 C	552 W	Enhancement	CoolSIC