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MOSFET de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
- IMYH200R024M1HXKSA1
- Infineon Technologies
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1:
39,07 €
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951En existencias
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720Fecha prevista: 31/08/2026
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N.º Ref. Mouser
726-IMYH200R024M1HXK
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Infineon Technologies
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MOSFET de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
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951En existencias
720Fecha prevista: 31/08/2026
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Mín.: 1
Múlt.: 1
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Through Hole
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TO-247-4
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N-Channel
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1 Channel
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2 kV
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89 A
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33 mOhms
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- 10 V, + 23 V
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3.5 V
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137 nC
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- 55 C
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+ 150 C
|
576 W
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Enhancement
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CoolSIC
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MOSFET de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
- IMYH200R100M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
15,63 €
-
6.944En existencias
-
10.320Fecha prevista: 19/11/2026
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N.º Ref. Mouser
726-IMYH200R100M1HXK
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Infineon Technologies
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MOSFET de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
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6.944En existencias
10.320Fecha prevista: 19/11/2026
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15,63 €
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9,68 €
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9,01 €
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Mín.: 1
Múlt.: 1
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Through Hole
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TO-247-4
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N-Channel
|
1 Channel
|
2 kV
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26 A
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131 mOhms
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- 10 V, + 23 V
|
3.5 V
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55 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
217 W
|
Enhancement
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CoolSIC
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MOSFET de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
- IMYH200R050M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
21,54 €
-
866En existencias
-
1.920Pedido
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N.º Ref. Mouser
726-IMYH200R050M1HXK
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Infineon Technologies
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MOSFET de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
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866En existencias
1.920Pedido
Existencias:
866 Puede enviarse inmediatamente
Pedido:
480 Fecha prevista: 24/09/2026
1.440 Fecha prevista: 15/10/2026
Plazo de producción de fábrica:
53 Semanas
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Mín.: 1
Múlt.: 1
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Through Hole
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TO-247-4
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N-Channel
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1 Channel
|
2 kV
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48 A
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64 mOhms
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- 10 V, + 23 V
|
3.5 V
|
82 nC
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- 55 C
|
+ 150 C
|
348 W
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Enhancement
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CoolSIC
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MOSFET de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
- IMYH200R075M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
17,91 €
-
903En existencias
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N.º Ref. Mouser
726-IMYH200R075M1HXK
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Infineon Technologies
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MOSFET de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
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903En existencias
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17,91 €
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11,23 €
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10,87 €
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Mín.: 1
Múlt.: 1
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Through Hole
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TO-247-4
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N-Channel
|
1 Channel
|
2 kV
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34 A
|
98 mOhms
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- 10 V, + 23 V
|
3.5 V
|
64 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
267 W
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Enhancement
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CoolSIC
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MOSFET de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
- IMYH200R012M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
68,48 €
-
1.930Pedido
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N.º Ref. Mouser
726-IMYH200R012M1HXK
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Infineon Technologies
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MOSFET de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
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1.930Pedido
Pedido:
10 Fecha prevista: 07/01/2027
1.920 Fecha prevista: 18/02/2027
Plazo de producción de fábrica:
52 Semanas
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Mín.: 1
Múlt.: 1
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Through Hole
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TO-247-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
2 kV
|
123 A
|
16.5 mOhms
|
- 10 V, + 23 V
|
3.5 V
|
246 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
552 W
|
Enhancement
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CoolSIC
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España