PSRAM (Pseudo SRAM) Semiconductores

Tipos de Semiconductores
Cambiar vista de categoría
Resultados: 83
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Suggested Alt APS12808O-OBR-WB same density NRND No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
: 5.000

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144MHz, 1.8V, USON8
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 10.000
Múlt.: 10.000
: 10.000

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
: 5.000


AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, Ind. Temp., SOP8
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
: 3.000

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, RBX, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
: 5.000

AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 4.800
Múlt.: 4.800

AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Suggested Alt APS256XXN-OB9-WA same density NRND No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
: 5.000

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb QSPI (x1,x4) SDR 144MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
: 5.000

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
: 5.000

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24
Hoja de datos
Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

AP Memory APS12808O-OBR-WB
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
: 5.000

AP Memory APS256XXN-OB9-WA
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
: 5.000

AP Memory APS256XXN-OBX9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ext.. Temp., BGA24
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 4.800
Múlt.: 4.800

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
: 3.000

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
: 3.000

AP Memory APS12804O-DQ-WA
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb QSPI (x4) DDR 166MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 15 Semanas

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500


ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500


ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
: 3.000

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
: 3.000

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
: 3.000

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
: 3.000

Alliance Memory DRAM 64M 4Mx16 1.8V LP Pseudo SRAM IT
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 490
Múlt.: 490