GaN Semiconductores

Resultados: 711
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS
Power Integrations Conversores CA/CC 85 W (85-265 VAC) 1.810En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Texas Instruments Controlador de puerta 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3411R150RWHT 703En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Texas Instruments Controlador de puerta 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3410R150RWHT 305En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

MACOM Amplificador de RF MMIC GaN HEMT, G28V4-1, 25W, 5.2-5.9 GHz
12En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Qorvo FET de GaN DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless 15En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Power Integrations Conversores CA/CC 45 W (85-265 VAC) 1.933En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Power Integrations Conversores CA/CC 90 W (85-265 VAC) 1.785En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

onsemi NCP1568G04DBR2G
onsemi Conversores CA/CC ACTIVE CLAMP FLYBACK 2.418En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

onsemi NCP1568G03DBR2G
onsemi Conversores CA/CC ACTIVE CLAMP FLYBACK 2.322En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor 374En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800

STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor 728En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor 768En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

STMicroelectronics Controlador de puerta High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 879En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

EPC FET de GaN 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP 2.139En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC FET de GaN 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP 900En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Drive HB 600 V G5 2.393En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000
Infineon Technologies FET de GaN 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode 2.646En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Infineon Technologies FET de GaN 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode 2.667En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Infineon Technologies FET de GaN 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode 2.345En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Bidirectional Switch 3.138En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000
onsemi FET de GaN GaN FET, 700V, 75m, DPAK 2.460En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 250
: 250

onsemi FET de GaN GaN FET, 700V, 75m, 8x8 2.463En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 246
: 250

onsemi FET de GaN GaN FET, 700V,101m, 8x8 2.472En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 248
: 250

onsemi FET de GaN GaN FET, 700V, 132m, 8x8 2.500En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 250
: 250

Texas Instruments Controlador de puerta 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3410R150RWHR 110En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 250