GaN Semiconductores

Resultados: 712
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS
Texas Instruments Controladores de puerta con aislamiento galvánico 3.0kVrms 4A/6A dual- channel isolated ga A 595-UCC21222D 1.061En existencias
2.500Fecha prevista: 12/11/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Texas Instruments Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5.7kVrms 4A/6A dual- channel isolated ga 2.153En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Texas Instruments Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5.7kVrms 1.5A/2.5A d ual-channel isolate A 595-UCC21541DW 1.710En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1 10.309En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,60 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 11.965En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 73 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 11.516En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 550 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 12.050En existencias
15.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 3300 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 10.900En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,15 V, 30 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2 12.688En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET, 350 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 1.95 x 1.95 1.741En existencias
1.300Fecha prevista: 14/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 25 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85 4.500En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 13.5 milliohm at 5 V, BGA 1.5 x 1.5 11.953En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET, 40 V, 3.5 mohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 5.596En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET, 80 V, 3.6 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95 2.531En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,40 V, 1.1 milliohm at 5 V, LGA 6.05 X 2.3 1.903En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,40 V, 1.5 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 2.85 1.811En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 23 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85 14.253En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 4.45 x 2.3 460En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

EPC FET de GaN EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3 500En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 500

EPC FET de GaN EPC eGaN Symetrical Half Bridge80 V, 5.5 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3 734En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 500

EPC FET de GaN EPC eGaN Symetrical Half Bridge,100 V, 6.8 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3 495En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 5.182En existencias
12.500Fecha prevista: 29/12/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,200 V, 22 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0 8.997En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,15 V, 26 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2 4.917En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,40 V, 110 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 965En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500