TO-3P-3 Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche
IXYS MOSFET TO3P 200V 60A N-CH TRENCH 274En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 75 Amps 100V 0.025 Rds 148En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds 128En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3


Toshiba Transistores bipolares - BJT NPN PWR Amp Trans 18A 35A 180W 160V 28En existencias
500Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
WeEn Semiconductors Rectificadores Dual ultrafast power diode 474En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Rectifiers Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistores bipolares - BJT NPN TO-3P POWER TRANS 76En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-3P (3) 4En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds 12En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistores bipolares - BJT NPN 230V 15A
26.548Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3

Taiwan Semiconductor Rectificadores 50ns, 30A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier 319En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Rectifiers Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
537Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 40 Amps 500V
300Fecha prevista: 02/12/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistores bipolares - BJT Transistor NPN 230V 15A
1.600Fecha prevista: 16/11/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistores bipolares - BJT 200 W BETA AUDIO
2.991Fecha prevista: 23/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 40

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistores bipolares - BJT PNP 230V 15A
4.671Fecha prevista: 14/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
IXYS SCR Power Thyristor Discretes-SCR TO-3P (3)
26Fecha prevista: 19/03/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

SCRs Through Hole TO-3P-3
IXYS Diodos de conmutación de señal pequeña 60 Amps 400V 540Disponible de fábrica
Mín.: 1
Múlt.: 1

Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET 840Disponible de fábrica
Mín.: 300
Múlt.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET 420Disponible de fábrica
Mín.: 300
Múlt.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET 420Disponible de fábrica
Mín.: 300
Múlt.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET 780Disponible de fábrica
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds 330Disponible de fábrica
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds 630Disponible de fábrica
Mín.: 300
Múlt.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds 390Disponible de fábrica
Mín.: 300
Múlt.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds 1.410Disponible de fábrica
Mín.: 300
Múlt.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3