TO-252-2 Semiconductores

Tipos de Semiconductores
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS
Diodes Incorporated Reguladores de voltaje LDO LDO BJT HiCurr 1.15V at 1A
Hoja de datos
4.583En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 500
: 2.500

Wolfspeed Diodos Schottky de SiC SiC, Schottky Diode, 10A, 650V, TO-252-2 T&R, Industrial
Hoja de datos
17En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Diodes Incorporated Reguladores de voltaje LDO LDO BJT HiCurr 1.15V at 1A
Hoja de datos
2.500Disponible de fábrica
Más información disponible
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Diodes Incorporated AP2114DA-3.3TRG1
Diodes Incorporated Reguladores de voltaje LDO 1.5MHz CMOS LDO 2.5V to 5V 600mV
Hoja de datos
5.000Disponible de fábrica
Más información disponible
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Diodes Incorporated Reguladores de voltaje lineal 1A 3-Term POS Reg 29V 9V 61dB 3.2mA
Hoja de datos
No en almacén
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Diodes Incorporated Reguladores de voltaje LDO LDO BJT HiCurr
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Diodes Incorporated Rectificadores FRED GPP Rectifier TO252 T&R 2.5K
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500
Diodes Incorporated Rectificadores FRED GPP Rectifier TO252 T&R 2.5K
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500
Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFET Discrete 650V 520mOhm DPAK-2L
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFET Discrete 650V 330mOhm DPAK-2L
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFET Discrete 650V 260mOhm DPAK-2L
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFET Discrete 650V 210mOhm DPAK-2L
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFET Discrete 650V 170mOhm DPAK-2L
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFET Discrete 650V 120mOhm DPAK-2L
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFET Discrete 650V 120mOhm DPAK-2L
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 500
: 500

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNSafe 650V 18mOhm(typ) TOLT GaN No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNSafe 650V 18mOhm(typ) TOLT GaN No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 450
Múlt.: 450
: 450

Wolfspeed Diodos Schottky de SiC SiC, Schottky Diode, 4A, 650V, TO-252-2 T&R, Industrial
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

Wolfspeed Diodos Schottky de SiC SiC, Schottky Diode, 6A, 650V, TO-252-2 T&R, Industrial
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

Wolfspeed Diodos Schottky de SiC SiC, Schottky Diode, 8A, 650V, TO-252-2 T&R, Industrial
Hoja de datos
No en almacén
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Littelfuse IXFY36N20X3-TRL
Littelfuse MOSFET DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-252D
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 33 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

Littelfuse IXTY14N60X2-TRL
Littelfuse MOSFET Discrete MOSFET 14A 600V X2 TO252
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

Littelfuse IXTY15P15T-TRL
Littelfuse MOSFET DiscMSFT PChan-Trench Gate TO-252D
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 5A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-252-2L (D-PAK-2L)
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 22 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 8A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-252-2L (D-PAK-2L)
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 22 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500