PDFN-8 Semiconductores

Resultados: 37
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS
YAGEO XSemi MOSFET N-MOS 30V 19.5A 5.2mOhms
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 22 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
: 3.000

YAGEO XSemi MOSFET N-MOS 30V 20.7A 4.7mOhms
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 22 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
: 3.000

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFET Discrete 650V 150mOhm PQFN 88
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
: 3.000

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFET Discrete 650V 70mOhm PQFN 88
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
: 3.000

Navitas Semiconductor FET de GaN GaNFET Discrete 650V 50mOhm PQFN 88
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
: 3.000

MACOM Amplificador de RF 1.4-4.0GHz NF .6dB Gain=17.5dB
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

MACOM Amplificador de RF Amplifier,LNA,18-31.5 GHz,2mm,1k reel
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 22 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

Infineon Technologies FET de GaN LEGACY GAN SYSTEMS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 250

MACOM MAAL-011198-TR1000
MACOM Amplificador de RF Amplifier,LNA,32-37GHz,2mm,1K reel
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 22 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

iDEAL Semiconductor MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
: 5.000

Taiwan Semiconductor FET de GaN 650V, 30A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 9.000
Múlt.: 3.000
: 3.000

Taiwan Semiconductor FET de GaN 650V, 18A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 9.000
Múlt.: 3.000
: 3.000