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Tipo de memoria = SRAM
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS
NXP Semiconductors MCF54454VP266
NXP Semiconductors Microprocesadores (MPU) REDSTRIPE 360 ColdFire
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 300

NXP Semiconductors MCF54455VP266
NXP Semiconductors Microprocesadores (MPU) REDSTRIPE 360 ColdFire
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 300

Renesas Electronics R9A09G087M08GBA#AC1
Renesas Electronics Microprocesadores (MPU) RZ/N2H FCBGA669 SINGLE CA55 SEC BULK
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 84
Múlt.: 84

Renesas Electronics R9A09G087M08GBA#BC1
Renesas Electronics Microprocesadores (MPU) RZ/N2H FCBGA669 SINGLE CA55 SEC FULL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 672
Múlt.: 672

Renesas Electronics R9A09G087M28GBA#AC1
Renesas Electronics Microprocesadores (MPU) RZ/N2H FCBGA669 DUAL CA55 SEC BULK
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 84
Múlt.: 84

Renesas Electronics R9A09G087M28GBA#BC1
Renesas Electronics Microprocesadores (MPU) RZ/N2H FCBGA669 DUAL CA55 SEC FULL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 672
Múlt.: 672

Renesas Electronics R9A09G087M48GBA#AC1
Renesas Electronics Microprocesadores (MPU) RZ/N2H FCBGA669 QUAD CA55 SEC BULK
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 84
Múlt.: 84

Renesas Electronics R9A09G087M48GBA#BC1
Renesas Electronics Microprocesadores (MPU) RZ/N2H FCBGA669 QUAD CA55 SEC FULL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 672
Múlt.: 672

Terasic Technologies S0567
Terasic Technologies Módulos de memoria QDRII+ Memory Module for Stratix 10 Board No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000


ISSI SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 135
Múlt.: 135

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 480
Múlt.: 480


ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 135
Múlt.: 135

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v-3.6v, 2 CS 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 480
Múlt.: 480

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v-3.6v, 2 CS 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 Pins, RoHS, Automotive temp
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 Pins, RoHS, Automotive temp
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 480
Múlt.: 480

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 480
Múlt.: 480

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 54 Pin TSOP II, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 8ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 8ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500