933 MHz Semiconductores

Tipos de Semiconductores

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M No en almacén
Mín.: 10
Múlt.: 10

GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 4M x 36 144M No en almacén
Mín.: 10
Múlt.: 10

GSI Technology SRAM SigmaDDR-IVe, 144Mb, x18, 933MHz, Commercial Temp No en almacén
Mín.: 10
Múlt.: 10

GSI Technology SRAM SigmaDDR-IVe, 144Mb, x36, 933MHz, Commercial Temp No en almacén
Mín.: 10
Múlt.: 10

SMARTsemi DRAM DRAM DDR3(L) 4GB 512MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Industrial N/A
Mín.: 1
Múlt.: 1

Infineon Technologies CY7C4042KV13-933FCXC
Infineon Technologies SRAM SYNC No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600

Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 64Mx16, 1866 at CL13, 1.5V, FBGA-96 No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 1.900
Múlt.: 1.900

Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 64Mx16, 1866 at CL13, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp. No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 1.900
Múlt.: 1.900

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78 No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 2.420
Múlt.: 2.420

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 2.420
Múlt.: 2.420

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 128Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96 No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 2.090
Múlt.: 2.090

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78 No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 2.420
Múlt.: 2.420

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 2.420
Múlt.: 2.420

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96 No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 2.090
Múlt.: 2.090

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96, Ind. Temp. No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 2.090
Múlt.: 2.090

ISSI DRAM 16G, 1.35V, DDR3L, 1Gx16,1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R No en almacén
Mín.: 2.000
Múlt.: 1
ISSI DRAM 16G, 1.35V, DDR3L, 1Gx16,1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
: 2.000
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +115C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 190
Múlt.: 190
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.500
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500
ISSI DRAM 16G, 1.35V, DDR3L, 1Gx16,1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS No en almacén
Mín.: 136
Múlt.: 1
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +115C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500
ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500