1.6 GHz Semiconductores

Tipos de Semiconductores

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS
Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 8Gb, 1.1V, 256Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200 No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

NXP Semiconductors Microprocesadores (MPU) Layerscape 64-bit Arm Cortex-A53, Dual-core, 1.6GHz, 0 to 105C, Security enabled, 21x21 pkg
No en almacén Plazo producción 39 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60
NXP Semiconductors Microprocesadores (MPU) Layerscape 64-bit Arm Cortex-A53, Dual-core, 1.6GHz, 0 to 105C, Security disabled, 21x21 pkg
No en almacén Plazo producción 39 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60
NXP Semiconductors Microprocesadores (MPU) Layerscape 64-bit Arm Cortex-A53, Dual-core, 1.6GHz, -40 to 105C, Security enabled, 21x21 pkg
No en almacén Plazo producción 39 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

NXP Semiconductors Microprocesadores (MPU) Layerscape 64-bit Arm Cortex-A72, Dual-core, 1.6GHz, 0 to 105C, Security enabled
No en almacén Plazo producción 39 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

NXP Semiconductors Microprocesadores (MPU) Layerscape 64-bit Arm Cortex-A72, Dual-core, 1.6GHz, 0 to 105C, Security disabled
No en almacén Plazo producción 39 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

NXP Semiconductors Microprocesadores (MPU) Layerscape 64-bit Arm Cortex-A72, Dual-core, 1.6GHz, -40 to 105C, Security enabled
No en almacén Plazo producción 39 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

NXP Semiconductors Microprocesadores (MPU) Layerscape 64-bit Arm Cortex-A72, Dual-core, 1.6GHz, -40 to 105C, Security disabled
No en almacén Plazo producción 39 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

NXP Semiconductors Microprocesadores (MPU) Layerscape 64-bit Arm Cortex-A53, Quad-core, 1.6GHz, 0 to 105C, Security enabled, 21x21 pkg
No en almacén Plazo producción 39 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

NXP Semiconductors Microprocesadores (MPU) Layerscape 64-bit Arm Cortex-A53, Quad-core, 1.6GHz, 0 to 105C, Security disabled, 21x21 pkg
No en almacén Plazo producción 39 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

NXP Semiconductors Microprocesadores (MPU) Layerscape 64-bit Arm Cortex-A53, Quad-core, 1.6GHz, -40 to 105C, Security enabled, 21x21 pkg
No en almacén Plazo producción 39 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Intel NN8071904626417SRL3Z
Intel CPU: unidades centrales de proceso Intel Atom Processor C5310 (9M Cache, 1.6GHz) FC-BGA16B, Tray No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 136
Múlt.: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 136
Múlt.: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 136
Múlt.: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 136
Múlt.: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500