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NVMFWS003N10MCT1G

Name: onsemi NVMFWS003N10MCT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS003N10MCT1G
Price: 4.39 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

863-VMFWS003N10MCT1G

Fabr. N.º:

NVMFWS003N10MCT1G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET PTNG 100V STD SO8FL HE

Hoja de datos:

NVMFWS003N10MCT1G Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFNW-5
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	169 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	3.1 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	62 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	194 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	14 ns
Transconductancia delantera: mín.:	150 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	15 ns
Serie:	NVMFWS003N10MC
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	46 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	28 ns

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PCN

Material Composition Disclosure

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: República de Corea
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: República de Corea

El país puede cambiar en el momento del envío.

NVMFWS003N10MC Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi NVMFWS003N10MC Single N-Channel Power MOSFETs offer a 169A continuous drain current, 3.1mΩ at 10V R_DS(ON), and 100V drain-to-source voltage. The NVMFWS002N10MCL is available in a 5mm x 6mm flat lead package developed for compact and efficient designs. The onsemi AEC-Q101-qualified MOSFET is PPAP-capable and ideal for automotive applications.

PRODUCTOS DESTACADOS

ONSEMI

NVMTS1D1N08X N‐Channel Power MOSFETs

80V automotive MOSFETs with low on-resistance and soft-recovery body diode.

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80V Single N-Channel Power MOSFETs

Offer low R_DS(on) to minimize conduction losses & low QG and capacitance to minimize driver losses.

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NVNJWS1K6N061L N-Channel MOSFET

Features low R_DS(on) and low gate threshold with integrated ESD protection.

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NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET

Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.

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NTMFD0D9N02P1E MOSFET

Dual N-channel MOSFET designed with low R_g for fast switching applications.

Más información

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Existencias:: 0

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Pedido:: 1.500

Fecha prevista: 20/08/2027
Plazo de producción de fábrica:: 52

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Cant.	Precio unitario	Precio total
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	1,80 €	900,00 €
	1,66 €	1.660,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	1,66 €	2.490,00 €

NVMFWS003N10MCT1G

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Fabr.: onsemi

Descripción: MOSFET PTNG 100V STD SO8FL HE

Especificaciones

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