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NTBL045N065SC1

Name: onsemi NTBL045N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBL045N065SC1
Price: 11.71 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

863-NTBL045N065SC1

Fabr. N.º:

NTBL045N065SC1

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET de SiC SIC MOS TOLL 650V

Hoja de datos:

NTBL045N065SC1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PSOF-8
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	73 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	50 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, + 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.3 V
Qg (carga de compuertas):	105 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	348 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	7 ns
Transconductancia delantera: mín.:	16 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Número de contactos:	8
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	14 ns
Serie:	NTBL045N065SC1
Cantidad del paquete de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Polaridad de transistor:	N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	26 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	13 ns

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Hoja de datos

NTBL045N065SC1 Hoja de datos (PDF)

PCN

Material Composition Disclosure

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: República de Corea
País de origen del ensamblaje:: Filipinas
País de difusión:: República de Corea

El país puede cambiar en el momento del envío.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi 650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon (Si). These 650V SiC MOSFETs have low ON resistance and a compact chip size to ensure low capacitance and gate charge. Benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Heat Pumps

The heat pump stands as a cornerstone of the global shift towards secure and sustainable heating, harnessing low-emissions electricity to provide reliable warmth. While its primary function is heating, innovative reverse cycle models also offer cooling capabilities. Moreover, by efficiently recovering waste heat and elevating its temperature to practical levels, heat pumps hold immense potential for energy conservation. As businesses pivot towards a low-carbon future, there's a growing demand for more efficient power semiconductors. Balancing cost, footprint, and efficiency is paramount in this pursuit. onsemi Intelligent Power Modules (IPMs) emerge as a noteworthy solution within the heat pump market, offering compact design, high power density, and advanced control features.

NTBL045N065SC1 33mohm Silicon Carbide MOSFET

onsemi NTBL045N065SC1 33mohm Silicon Carbide MOSFET is housed in a TOLL NTBL045N065SC1 package and designed to be fast and rugged. The devices offer a 10x higher dielectric breakdown field strength and 2x higher electron saturation velocity. The MOSFETs also offer a 3x higher energy band gap and 3x higher thermal conductivity. All onsemi SiC MOSFETs include AEC-Q101 qualified and PPAP-capable options specifically engineered and qualified for automotive and industrial applications.

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Features a maximum 76mΩ @ 20V maximum R_DS(ON), and 1700V drain-to-source voltage.

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Designed for fast switching applications, offering reliable performance.

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Deliver exceptional performance with a typical RDS(on) of 53mΩ at VGS = 20V.

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Plazo de producción de fábrica:: 52 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	11,71 €	11,71 €
	8,92 €	89,20 €
	7,43 €	743,00 €
	6,62 €	3.310,00 €
	5,63 €	5.630,00 €
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	5,63 €	11.260,00 €

NTBL045N065SC1

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Fabr.: onsemi

Descripción: MOSFET de SiC SIC MOS TOLL 650V

Especificaciones

Documentos (4)

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Documentos medioambientales

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