VSLY850 High Speed IR Emitting Diodes

Vishay Semiconductors VSLY850 High Speed IR Emitting Diodes are infrared, 850nm emitting diodes based on GaAlAs surface emitter chip technology. Vishay Semiconductors VSLY850 High Speed IR Emitting Diodes have extreme high radiant intensity, high optical power, high speed, and are molded in clear, untinted plastic packages. The VSLY3850 comes in a T-1 plastic package, and the VSLY5850 also has a parabolic lens.

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Longitud de onda Intensidad radiante Ángulo del haz If - Corriente delantera Vf - Tensión delantera Frecuencia de energía Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Empaquetado
Vishay Semiconductors Emisores de infrarrojos 850nm,T-1.75 600mW/sr,+/-3deg. 7.953En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole 850 nm 600 mW/sr 3 deg 100 mA 1.65 V 190 mW - 40 C + 85 C Bulk
Vishay Semiconductors Emisores de infrarrojos 850nm, T-1 70mW/sr, +/-18deg. 5.346En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole 850 nm 70 mW/sr 18 deg 100 mA 1.65 V 190 mW - 40 C + 85 C Bulk