IRFB4620PBFXKMA1

Infineon Technologies
726-IRFB4620PBFXKMA1
IRFB4620PBFXKMA1

Fabr.:

Descripción:
MOSFET IR FET >60-400V

Ciclo de vida:
NRND:
No se recomienda para nuevos diseños.
Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220AB-3
N-Channel
1 Channel
200 V
25 A
72.5 mOhms
- 20 V, 20 V
5 V
25 nC
- 55 C
+ 175 C
144 W
Enhancement
Tube
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
Tiempo de caída: 14.8 ns
Transconductancia delantera: mín.: 37
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 22.4 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 25.4 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 13.4 ns
Alias de parte #: IRFB4620PBFXKMA1 SP005745529
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Reino Unido
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
Reino Unido
El país puede cambiar en el momento del envío.

200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and RDS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
19 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Mínimo: 1000   Múltiples: 1000
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
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Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
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0,829 € 1.658,00 €
0,787 € 3.935,00 €
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