Resultados: 6
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Empaquetado

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 268En existencias
7,89 €
4,65 €
3,92 €
3,80 €
3,58 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms 10 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 250En existencias
8,58 €
5,87 €
4,84 €
4,33 €
4,08 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 50 A 41 mOhms 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 284En existencias
720Pedido
9,40 €
5,12 €
4,74 €
4,71 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 68.5 A 41 mOhms 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 41En existencias
500Fecha prevista: 10/12/2026
6,97 €
3,77 €
3,46 €
3,17 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms 10 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 90En existencias
10,24 €
6,98 €
6,80 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 69 A 29 mOhms 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 151En existencias
12,95 €
7,29 €
7,16 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 69 A 29 mOhms 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube