NTBG060N065SC1

onsemi
863-NTBG060N065SC1
NTBG060N065SC1

Fabr.:

Descripción:
MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: MOSFET de SiC
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
650 V
46 A
70 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
74 nC
- 55 C
+ 175 C
170 W
Enhancement
EliteSiC
Marca: onsemi
Configuración: Single
Tiempo de caída: 11 ns
Transconductancia delantera: mín.: 12 S
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento: 14 ns
Serie: NTBG060N065SC1
Cantidad del paquete de fábrica: 800
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tiempo típico de retraso de apagado: 24 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 11 ns
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
República de Corea
El país puede cambiar en el momento del envío.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low RDS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi 650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon (Si). These 650V SiC MOSFETs have low ON resistance and a compact chip size to ensure low capacitance and gate charge. Benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Heat Pumps

The heat pump stands as a cornerstone of the global shift towards secure and sustainable heating, harnessing low-emissions electricity to provide reliable warmth. While its primary function is heating, innovative reverse cycle models also offer cooling capabilities. Moreover, by efficiently recovering waste heat and elevating its temperature to practical levels, heat pumps hold immense potential for energy conservation. As businesses pivot towards a low-carbon future, there's a growing demand for more efficient power semiconductors. Balancing cost, footprint, and efficiency is paramount in this pursuit. onsemi Intelligent Power Modules (IPMs) emerge as a noteworthy solution within the heat pump market, offering compact design, high power density, and advanced control features.

NTBG060N065SC1 44mohm Silicon Carbide MOSFET

onsemi NTBG060N065SC1 44mohm Silicon Carbide MOSFET is housed in a D2PAK-7L package and designed to be fast and rugged. The onsemi NTBG060N065SC1 devices offer a 10x higher dielectric breakdown field strength and 2x higher electron saturation velocity. The MOSFETs also offer a 3x higher energy band gap and 3x higher thermal conductivity. All onsemi SiC MOSFETs include AEC-Q101 qualified and PPAP-capable options specifically engineered and qualified for automotive and industrial applications.

En existencias: 312

Existencias:
312 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
19 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
10,36 € 10,36 €
6,85 € 68,50 €
5,80 € 580,00 €
5,42 € 2.710,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 800)
4,93 € 3.944,00 €

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