QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

Resultados: 34
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia)
Qorvo FET de GaN DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN 21En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT NI-360 N-Channel 50 V 2.5 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 64 W
Qorvo FET de GaN DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN 123En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

NI-200
Qorvo FET de GaN 0.03-4.0 GHz, 30W, 32V GaN RF Tr 29En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT QFN-20 32 V 1.8 A
Qorvo FET de GaN DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB 100En existencias
Mín.: 100
Múlt.: 100

Die N-Channel
Qorvo FET de GaN 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN 40En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT QFN-16 32 V 250 mA - 40 C + 85 C
Qorvo FET de GaN DC-3.6GHz GaN 90W 48V 11En existencias
100Fecha prevista: 13/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 100

SMD/SMT DFN-6 48 V - 40 C
Qorvo FET de GaN DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless 15En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

NI-200
Qorvo FET de GaN DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN 45En existencias
50Fecha prevista: 09/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 400 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 13.5 W
Qorvo FET de GaN DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN 67En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 50 V 2.5 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 64 W
Qorvo FET de GaN DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz 250En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT NI-200 N-Channel 650 mA 12.5 W
Qorvo FET de GaN DC-3.5GHz 100W 28V GaN 63En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 28 V 12 A - 7 V, + 2 V - 2.9 V - 40 C + 85 C 144 W
Qorvo FET de GaN 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V 645En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT QFN-16 P-Channel 32 V 600 mA 7.5 W
Qorvo FET de GaN 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB 1.500En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 1 Channel 32 V 326 mA + 225 C 8.4 W
Qorvo FET de GaN .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN 353En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT QFN-EP-16 N-Channel 32 V 557 mA 15.3 W
Qorvo FET de GaN DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN 44En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 700 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 17.5 W
Qorvo FET de GaN DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged 43En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

NI-200
Qorvo FET de GaN DC-4GHz 45W GaN 48V 5En existencias
500Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 250

SMD/SMT QFN-20 48 V - 40 C 45 W
Qorvo FET de GaN DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN 3En existencias
50Fecha prevista: 29/12/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 50 V 4 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 127 W
Qorvo FET de GaN DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
19Fecha prevista: 29/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT NI-360 N-Channel 50 V 4 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 127 W
Qorvo FET de GaN 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 18
Múlt.: 18

SMD/SMT RF-565 N-Channel 50 V 15 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 370 W
Qorvo FET de GaN DC-2.7GHz 150W PAE 64.8% No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 100
Múlt.: 100
: 100

SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1.7 A - 40 C + 85 C 67 W
Qorvo FET de GaN DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 100
Múlt.: 100

NI-360 N-Channel
Qorvo FET de GaN DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 100
Múlt.: 100

Qorvo FET de GaN DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 50

Die N-Channel
Qorvo FET de GaN DC-25GHz 7Watt NF 1.3dB GaN No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 5
Múlt.: 5

SMD/SMT DIE N-Channel 80 mA - 40 C + 85 C 8.9 W