SCTxxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC Trench-Type 7-Pin MOSFETs

ROHM Semiconductor SCT3xxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC Trench-Type 7-Pin MOSFETs utilize a proprietary trench gate structure to reduce ON resistance by 50% and input capacitance by 35% over planar-type SiC MOSFETs. The MOSFETs include an additional pin that separates the driver and power source pins, eliminating the inductance component's effects in reducing Vgs, ensuring faster switching speeds. The ROHM Semiconductor Trench-Type MOSFETs feature a high voltage resistance, low ON resistance, fast switching speed, simple to drive, and easy to parallel.

Resultados: 8
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC Transistor SiC MOSFET 650V 60mO 3rd Gen TO-263-7L 1.757En existencias
Cinta extraída
16,99 €
11,17 €
10,57 €
Bobina
10,57 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 38 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 159 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 160mO 3rd Gen TO-263-7L 1.719En existencias
Cinta extraída
10,61 €
6,52 €
6,28 €
Bobina
6,28 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC Transistor SiC MOSFET 650V 120mO 3rd Gen TO-263-7L 2.763En existencias
Cinta extraída
11,40 €
6,63 €
6,55 €
6,15 €
Bobina
6,15 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 40mO 3rd Gen TO-263-7L 496En existencias
Cinta extraída
33,04 €
26,34 €
25,36 €
Bobina
25,36 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 56 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO263 650V 70A N-CH SIC 978En existencias
Cinta extraída
31,56 €
25,12 €
24,00 €
Bobina
24,00 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO263 1.2KV 30A N-CH SIC 369En existencias
Cinta extraída
18,19 €
12,01 €
11,14 €
Bobina
11,14 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC + 175 C 159 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC Transistor SiC MOSFET 650V 80mO 3rd Gen TO-263-7L 855En existencias
Cinta extraída
14,07 €
8,72 €
8,31 €
8,09 €
Bobina
8,09 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 29 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 125 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 105mO 3rd Gen TO-263-7L 766En existencias
Cinta extraída
14,56 €
9,39 €
8,89 €
Bobina
8,71 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 23 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 125 W Enhancement