Resultados: 35
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_LEGACY
Hoja de datos
804En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23.8 A 144 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 44 nC - 55 C + 150 C 176 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
822En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 113 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
714En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37.9 A 89 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
3.871En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 22.4 A 162 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 44 nC - 40 C + 150 C 176 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
Hoja de datos
7.256En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 10.6 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 19 nC - 55 C + 150 C 31 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_PRC/PRFRM
Hoja de datos
561En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.2 A 171 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 37 nC - 55 C + 150 C 151 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_PRC/PRFRM
Hoja de datos
430En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7.3 A 540 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_PRC/PRFRM
Hoja de datos
713En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.2 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 37 nC - 55 C + 150 C 151 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_LEGACY
Hoja de datos
1.986En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 7.3 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_PRC/PRFRM
Hoja de datos
524En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.2 A 190 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V 37 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
444En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 113 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM
Hoja de datos
5.027En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 23.8 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 44 nC - 55 C + 150 C 176 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
854En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37.9 A 89 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
950En existencias
240Fecha prevista: 29/04/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 77.5 A 37 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 170 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
1.193En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37.9 A 89 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_LEGACY
Hoja de datos
343En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23.8 A 144 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 44 nC - 55 C + 150 C 176 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
379En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37.9 A 89 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3
Hoja de datos
30En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23.8 A 144 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 44 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3
Hoja de datos
8En existencias
1.000Fecha prevista: 01/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23.8 A 144 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 44 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3
Hoja de datos
457En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16.8 A 538 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 31 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3
Hoja de datos
539En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13.8 A 252 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 25.5 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3
Hoja de datos
736En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13.8 A 252 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 25.5 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
496En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37.9 A 89 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
276En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 113 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
181En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 53.5 A 63 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 391 W Enhancement CoolMOS Tube