MOSFET de SiC – Mouser España

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650V 3rd Gen SiC MOSFETs

STMicroelectronics 650V 3rd Generation Silicon Carbide (SiC) MOSFETs feature low on-state resistance (R_DS(on)) per area, even at high temperatures, and excellent switching performance. This translates into more efficient and compact systems. The SiC MOSFETs feature excellent switching performance over IGBTs, simplifying the thermal design of power electronic systems. These 650V SiC MOSFETs have been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The low RDS(on), low capacitances, and high switching operations improve application performance in frequency, energy efficiency, system size, and weight reduction.

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Número de referencia

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 16,06 €
363En existencias

Fabr. N.º Ref.
SCT018W65G3-4AG

N.º Ref. Mouser
511-SCT018W65G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

Hoja de datos

363En existencias

16,06 €

10,44 €

9,72 €

8,61 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

77 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
1: 11,70 €
575En existencias
1.000Fecha prevista: 17/09/2027

Fabr. N.º Ref.
SCT027H65G3AG

N.º Ref. Mouser
511-SCT027H65G3AG

STMicroelectronics

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

Más información

Hoja de datos

575En existencias

1.000Fecha prevista: 17/09/2027

Cinta extraída

11,70 €

6,66 €

6,64 €

Bobina

6,28 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

650 V

60 A

39.3 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

48.6 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
1: 10,00 €
467En existencias

Fabr. N.º Ref.
SCT040W65G3-4

N.º Ref. Mouser
511-SCT040W65G3-4

STMicroelectronics

MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Más información

Hoja de datos

467En existencias

10,00 €

5,48 €

5,11 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole

HiP247-4

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 11,54 €
481En existencias

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SCT040W65G3-4AG

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511-SCT040W65G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Más información

Hoja de datos

481En existencias

11,54 €

7,71 €

7,16 €

6,17 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole

HiP247-4

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

SCT055TO65G3
STMicroelectronics
1: 7,87 €
1.404En existencias

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SCT055TO65G3

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511-SCT055TO65G3

STMicroelectronics

MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

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Hoja de datos

1.404En existencias

Cinta extraída

7,87 €

4,31 €

4,03 €

3,73 €

Bobina

3,73 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

: 1.800

SMD/SMT

TOLL-8

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
1: 14,25 €
23En existencias
1.000Fecha prevista: 29/01/2027

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SCT018H65G3AG

N.º Ref. Mouser
511-SCT018H65G3AG

STMicroelectronics

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

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23En existencias

1.000Fecha prevista: 29/01/2027

Cinta extraída

14,25 €

8,57 €

Bobina

8,10 €

MouseReel Disponible

Mín.: 1
Múlt.: 1

: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
1: 10,41 €
656En existencias

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SCT040H65G3AG

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511-SCT040H65G3AG

STMicroelectronics

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

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Hoja de datos

656En existencias

Cinta extraída

10,41 €

5,86 €

5,70 €

Bobina

5,39 €

MouseReel Disponible

Mín.: 1
Múlt.: 1

: 1.000

SMD/SMT

1 Channel

650 V

30 A

40 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

39.5 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

SCT040TO65G3
STMicroelectronics
1: 8,82 €
9En existencias
1.800Fecha prevista: 05/02/2027

Fabr. N.º Ref.
SCT040TO65G3

N.º Ref. Mouser
511-SCT040TO65G3

STMicroelectronics

MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

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Hoja de datos

9En existencias

1.800Fecha prevista: 05/02/2027

Cinta extraída

8,82 €

6,21 €

4,61 €

4,30 €

Bobina

4,30 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

: 1.800

SMD/SMT

TOLL-8

1 Channel

650 V

35 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

42.5 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 11,76 €
5En existencias
600Fecha prevista: 16/04/2027

Fabr. N.º Ref.
SCT055W65G3-4AG

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511-SCT055W65G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

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5En existencias

600Fecha prevista: 16/04/2027

11,76 €

8,80 €

8,05 €

6,97 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 200 C

210 W

Enhancement

AEC-Q100

MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3-7
STMicroelectronics
1: 13,55 €
No en almacén Plazo producción 25 Semanas
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SCT018H65G3-7

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13,55 €

9,54 €

8,03 €

Bobina

7,50 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 10 V, 22 V

4.2 V

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- 55 C

+ 175 C

385 W

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