MOSFET de SiC de canal N de 750 V

Los MOSFET de SiC de canal N de 750 V de ROHM Semiconductor pueden aumentar la frecuencia de conmutación, lo que reduce el volumen de condensadores, reactores y otros componentes necesarios. Estos MOSFET de SiC están disponibles en los paquetes TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA y TO-247-4L. Los dispositivos tienen una resistencia estática de drenaje a fuente en estado encendido [RDS(on)] (típica) de 13 mΩ a 65 mΩ y una corriente continua de drenaje (ID) y de fuente (IS) (TC=25°C) de 22 A a 120 A. Estos MOSFET de SiC de canal N de 750 V de ROHM Semiconductor ofrecen altas tensiones de resistencia, baja resistencia en estado encendido y características de conmutación de alta velocidad, aprovechando los atributos únicos de la tecnología SiC.

Resultados: 23
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO247 750V 105A N-CH SIC 641En existencias
23,19 €
18,32 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 105 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO263 750V 51A N-CH SIC 1.994En existencias
Cinta extraída
15,53 €
9,57 €
9,43 €
9,23 €
Bobina
8,94 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO247 750V 56A N-CH SIC 623En existencias
17,73 €
10,81 €
10,72 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO247 750V 105A N-CH SIC 437En existencias
28,34 €
21,98 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 105 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO263 750V 31A N-CH SIC 1.946En existencias
Cinta extraída
10,57 €
5,99 €
5,85 €
5,69 €
Bobina
5,47 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 31 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO263 750V 98A N-CH SIC 279En existencias
1.000Fecha prevista: 11/11/2026
Cinta extraída
27,31 €
19,62 €
19,44 €
Bobina
18,32 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 98 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO247 750V 34A N-CH SIC 311En existencias
11,78 €
6,98 €
6,75 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TOLL 750V 120A SIC 900En existencias
Cinta extraída
30,13 €
22,20 €
22,19 €
21,19 €
21,02 €
Bobina
21,02 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 120 A 4.8 V 170 nC + 175 C 405 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TOLL 750V 46A SIC 1.990En existencias
Cinta extraída
14,53 €
8,78 €
8,31 €
Bobina
8,31 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 46 A 4.8 V 72 nC + 175 C 164 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TOLL 750V 37A SIC 1.941En existencias
Cinta extraída
12,69 €
7,37 €
6,97 €
Bobina
6,97 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 37 A 4.8 V 63 nC + 175 C 133 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TOLL 750V 80A SIC 490En existencias
Cinta extraída
21,92 €
14,86 €
14,80 €
14,07 €
Bobina
14,07 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 80 A 4.8 V 123 nC + 175 C 277 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET 439En existencias
12,31 €
6,90 €
6,61 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 42 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 136 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET 410En existencias
10,84 €
5,99 €
5,61 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 750 V 42 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 136 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC 750V, 38A, 7-pin SMD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive 1.000En existencias
Cinta extraída
10,77 €
6,07 €
5,95 €
Bobina
5,56 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 750 V 38 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 25A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET 450En existencias
9,22 €
5,01 €
4,63 €
4,53 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 25 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 88 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TOLL 750V 26A SIC 970En existencias
Cinta extraída
10,54 €
5,93 €
5,79 €
5,47 €
Bobina
5,47 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 26 A 4.8 V 48 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 25A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET 440En existencias
7,91 €
4,41 €
3,98 €
3,90 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 750 V 25 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 88 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC 750V, 45mO, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide(SiC) power MOSFET 1.000En existencias
Cinta extraída
7,86 €
4,30 €
3,96 €
3,94 €
Bobina
3,68 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 750 V 22 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 71 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO263 750V 51A N-CH SIC 1.439En existencias
Cinta extraída
16,88 €
12,87 €
10,51 €
9,55 €
Bobina
8,92 €
Ver
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TOLL 750V 61A SIC 92En existencias
Cinta extraída
17,55 €
11,20 €
11,15 €
10,60 €
Bobina
10,60 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 61 A 4.8 V 94 nC + 175 C 214 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO247 750V 34A N-CH SIC 428En existencias
12,80 €
7,40 €
6,85 €
6,56 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO247 750V 56A N-CH SIC 63En existencias
500Pedido
16,59 €
10,72 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO263 750V 31A N-CH SIC 23En existencias
1.000Pedido
Cinta extraída
10,71 €
6,09 €
5,91 €
5,57 €
Bobina
5,20 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 31 A 45 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement