MOSFET de SiC de canal N de 750 V

Los MOSFET de SiC de canal N de 750 V de ROHM Semiconductor pueden aumentar la frecuencia de conmutación, lo que reduce el volumen de condensadores, reactores y otros componentes necesarios. Estos MOSFET de SiC están disponibles en los paquetes TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA y TO-247-4L. Los dispositivos tienen una resistencia estática de drenaje a fuente en estado encendido [RDS(on)] (típica) de 13 mΩ a 65 mΩ y una corriente continua de drenaje (ID) y de fuente (IS) (TC=25°C) de 22 A a 120 A. Estos MOSFET de SiC de canal N de 750 V de ROHM Semiconductor ofrecen altas tensiones de resistencia, baja resistencia en estado encendido y características de conmutación de alta velocidad, aprovechando los atributos únicos de la tecnología SiC.

Resultados: 23
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Cualificación
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO263 750V 51A N-CH SIC
Hoja de datos
2.004En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO263 750V 31A N-CH SIC
Hoja de datos
1.946En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 31 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO247 750V 105A N-CH SIC
Hoja de datos
641En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 105 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO247 750V 56A N-CH SIC
Hoja de datos
624En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO247 750V 34A N-CH SIC
Hoja de datos
311En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TOLL 750V 120A SIC
Hoja de datos
900En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 120 A 4.8 V 170 nC + 175 V 405 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TOLL 750V 46A SIC
Hoja de datos
1.990En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 46 A 4.8 V 72 nC + 175 V 164 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TOLL 750V 37A SIC
Hoja de datos
1.944En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 37 A 4.8 V 63 nC + 175 V 133 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TOLL 750V 80A SIC
Hoja de datos
490En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 80 A 4.8 V 123 nC + 175 V 277 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
Hoja de datos
439En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 42 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 136 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
Hoja de datos
410En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 750 V 42 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 136 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC 750V, 38A, 7-pin SMD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive
Hoja de datos
1.000En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 750 V 38 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 25A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
Hoja de datos
450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 25 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 88 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TOLL 750V 26A SIC
Hoja de datos
970En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 26 A 4.8 V 48 nC + 175 V 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 25A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
Hoja de datos
440En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 750 V 25 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 88 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC 750V, 45m, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide(SiC) power MOSFET
Hoja de datos
1.000En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 750 V 22 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 71 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO263 750V 51A N-CH SIC
Hoja de datos
1.439En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TOLL 750V 61A SIC
Hoja de datos
92En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 61 A 4.8 V 94 nC + 175 V 214 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO263 750V 98A N-CH SIC
Hoja de datos
242En existencias
1.000Fecha prevista: 26/10/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 98 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO247 750V 56A N-CH SIC
Hoja de datos
133En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO247 750V 34A N-CH SIC
Hoja de datos
428En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO263 750V 31A N-CH SIC
Hoja de datos
23En existencias
1.000Fecha prevista: 29/09/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 31 A 45 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO247 750V 105A N-CH SIC
Hoja de datos
450Fecha prevista: 08/01/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 105 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement