U-MOSVII-H MOSFETs

Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are logic-level gate drive and low-voltage gate drive devices offered in both single-channel and dual-channel variants. These devices have a drain-source voltage range of 12V to 60V and a continuous drain current range from 0.15m to 9.0A. Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are offered in a wide range of compact, surface-mounted package types, making them ideal for high-density applications.

Resultados: 44
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Nombre comercial Empaquetado
Toshiba MOSFET Small-signal Nch MOSFET ID:0.4A 23.019En existencias
18.000Fecha prevista: 24/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-346-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 390 pC - 55 C + 150 C 900 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET ID=0.4A VDSS=60V 42.578En existencias
48.000Fecha prevista: 22/01/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 390 pC - 55 C + 150 C 700 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET VDSS=60V, ID=0.15A 11.888En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 10.000

Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 60 V 150 mA 2.8 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 350 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=.3A VDSS=60V 899En existencias
126.000Fecha prevista: 31/12/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET 7.700En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 1 Channel 40 V 1.8 A 400 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV 1.1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, TSOP6F 5.980En existencias
3.000Fecha prevista: 25/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 171 mOhms 20 V 2.1 V 1.84 nC + 150 C 3 W Enhancement Reel, Cut Tape

Toshiba MOSFET 30V/20V Nch single MOSFET Id: 6A Rdson: 40mOhm @ 1.8V 4.135En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 20 V 6 A 108 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 3.6 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch+Pch ID:4A 973En existencias
3.000Fecha prevista: 25/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 4 A 108 mOhms, 157 mOhms - 12 V, - 8 V, 8 V, 12 V 400 mV, 500 mV 3.6 nC, 6.74 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII-H / U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch ID: 4A 237En existencias
6.000Fecha prevista: 02/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 2 Channel 20 V 4 A 108 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 3.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V 1.124En existencias
114.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 2 Channel 30 V 4 A 39.1 mOhms - 8 V, 12 V 400 mV 3.2 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V 5.297En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 2 Channel 30 V 4 A 84 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET 2in1 ESD Protected
998.659Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 300 mA 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 390 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF
59.999Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 235 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF
49.490Fecha prevista: 21/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si N-Channel 1 Channel U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal FET 0.8A 20V 0.84ohm
192.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 8.000

Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 235 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET
233.235Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 200 mA 3.9 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 270 pC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 30 V, 4.0 A, 0.056Ohm@4.5V, DFN2020B(WF)
65.900Fecha prevista: 11/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT DFN2020B-6 N-Channel 1 Channel 30 V 10 A 56 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 2.2 nC + 150 C 3.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET
11.976Fecha prevista: 04/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 30 V 9 A 26 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFET UDFN6B N-CH 30V 6A
8.998Fecha prevista: 16/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 39.1 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 3.2 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel