NCV57001FDWR2G

onsemi
863-NCV57001FDWR2G
NCV57001FDWR2G

Fabr.:

Descripción:
Controladores de puerta con aislamiento galvánico ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER WITH FAST STO

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.
Más información
Más información sobre onsemi NCV57001FDWR2G

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Controladores de puerta con aislamiento galvánico
RoHS:  
NCV57001FDWR2G
SMD/SMT
- 40 C
+ 125 C
10 ns
15 ns
Reel
Cut Tape
Marca: onsemi
Configuración: Inverting, Non-Inverting
Número de controladores: 1 Driver
Número de salidas: 1 Output
Corriente de salida: 4 A
Producto: IGBT, MOSFET Gate Drivers
Tipo de producto: Galvanically Isolated Gate Drivers
Cantidad del paquete de fábrica: 1000
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Tensión del suministro - Máx: 5 V
Tensión del suministro - Mín: 3.3 V
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla
Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Filipinas
País de origen del ensamblaje:
Filipinas
País de difusión:
Estados Unidos
El país puede cambiar en el momento del envío.

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

NCV57001F IGBT Gate Driver

onsemi NCV57001F IGBT Gate Driver is a high-current single-channel IGBT driver with internal galvanic isolation designed for high system efficiency and reliability. This gate driver features complementary inputs, open-drain FAULT, and Ready outputs, active Miller clamp, accurate UVLOs, DESAT protection, and soft turn-off at DESAT. onsemi NCV57001F IGBT Gate Driver accommodates 5V and 3.3V signals on the input side and a wide bias voltage range on the driver side, including negative voltage capability. This gate driver provides >5kVrms (UL1577 rating) galvanic isolation and >1200Viorm (working voltage) capabilities. Typical applications include automotive power supplies, hybrid/electric vehicle (HEV/EV) powertrains, BSG inverters, and positive temperature coefficient (PTC) heaters.

En existencias: 1.143

Existencias:
1.143 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
30 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Plazo de entrega largo indicado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
4,09 € 4,09 €
2,92 € 29,20 €
2,86 € 71,50 €
2,31 € 231,00 €
2,29 € 572,50 €
2,15 € 1.075,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
2,02 € 2.020,00 €

Se ha producido un error inesperado.


¿Tiene alguna pregunta? Visite el Centro de Ayuda.
Si tiene alguna pregunta acerca de un pedido específico, inicie sesión en su cuenta.

Si tiene más problemas, póngase en contacto con nosotros llamando al 800-346-6873 o envíe un correo electrónico a help@mouser.com.