EasyDUAL™ 1B IGBT Modules

Infineon Technologies EasyDUAL™ 1B IGBT Modules with CoolSiC™ MOSFETs deliver very low stray inductance and outstanding efficiency enabling higher frequencies, increased power density, and reduced cooling requirements. The 1200V, 8mΩ half-bridge modules feature an integrated NTC temperature sensor and PressFIT contact technology. Thermal interface material is available on the xHP_B11 variants. These devices feature 0 to 5V and +15V to +18V recommended gate drive voltage ranges, maximum gate-source voltages of +23V or -10V, and 17mΩ or 33mΩ drain-source on resistance options. Integrated mounting clamps provide rugged mounting assurance.

Resultados: 8
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tipo
Tecnología
Serie
Empaquetado
Infineon Technologies Módulos de semiconductores discretos EASY
Hoja de datos
48En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si M1H Tray
Infineon Technologies Módulos de semiconductores discretos CoolSiC MOSFET halfbridge module 1200 V
Hoja de datos
35En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Módulos de semiconductores discretos CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
Hoja de datos
275En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Half Bridge Si Tray
Infineon Technologies Módulos de semiconductores discretos Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Hoja de datos
12En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Módulos de semiconductores discretos Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Hoja de datos
3En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Módulos de semiconductores discretos Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Hoja de datos
4En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Módulos de semiconductores discretos Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Hoja de datos
19En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Módulos de semiconductores discretos Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 33 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Half Bridge Si M1H Tray