MOSFET de SiC – Mouser España

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Seleccionar	Imagen	Número de referencia	Fabr.	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.	Cant.	RoHS	Modelo ECAD	Estilo de montaje	Empaquetado / Estuche	Número de canales	Vds (Tensión separación drenador-fuente)	Id: corriente de drenaje continuo	Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)	Vgs (tensión de compuerta-fuente)	Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)	Qg (carga de compuertas)	Temperatura operativa mínima	Temperatura operativa máxima	Pd (disipación de potencia)	Modo canal	Nombre comercial
	MOSFET de SiC SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L NTH4L028N170M1 onsemi 1: 31,02 € 750En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. NTH4L028N170M1 N.º Ref. Mouser 863-NTH4L028N170M1 NRND	onsemi	MOSFET de SiC SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L Más información sobre onsemi nth4l028n170m1 mosfet	Hoja de datos	750En existencias	31,02 € 24,16 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 Máx.: 450			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.7 kV	81 A	40 mOhms	- 15 V, + 25 V	4.3 V	200 nC	- 55 C	+ 175 C	535 W	Enhancement	EliteSiC
	MOSFET de SiC SIC 1700V MOS 28MO IN TO263-7L NTBG028N170M1 onsemi 1: 34,76 € 6.109Pedido NRND	Fabr. N.º Ref. NTBG028N170M1 N.º Ref. Mouser 863-NTBG028N170M1 NRND	onsemi	MOSFET de SiC SIC 1700V MOS 28MO IN TO263-7L Más información sobre onsemi ntbg028n170m1 mosfet	Hoja de datos	6.109Pedido En las fechas de envío del pedido Fabr. N.º: NTBG028N170M1 Existencias: 0 Pedido: 509 Fecha prevista: 08/12/2026 2.400 Fecha prevista: 05/01/2027 800 Fecha prevista: 08/01/2027 2.400 Fecha prevista: 15/01/2027 Plazo de producción de fábrica: 48 Semanas	Cinta extraída 34,76 € 28,26 € 26,59 € 24,93 € Bobina 24,93 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 Máx.: 800 : 800			SMD/SMT	D2PAK-7	1 Channel	1.7 kV	71 A	40 mOhms	- 15 V, + 25 V	4.3 V	222 nC	- 55 C	+ 175 C	428 W	Enhancement	EliteSiC

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