MOSFET de potencia IRF540N/Z Advanced HEXFET®

Los MOSFET de potencia IRF540N/Z Advanced HEXFET® de International Rectifier emplean técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la rápida velocidad de conmutación, un diseño de dispositivo resistente y una temperatura de funcionamiento en uniones de 175 °C, por lo que son bien conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al diseñador un dispositivo sumamente eficiente y fiable para utilizarlo en una amplia variedad de aplicaciones.
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3
Hoja de datos
2.707En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 8.2 mOhms 20 V 2.7 V 55 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
Hoja de datos
809En existencias
76.800Pedido
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 33 A 44 mOhms 20 V 2 V 47.3 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl
Hoja de datos
3.121En existencias
1.600Fecha prevista: 06/10/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-262-3 N-Channel 1 Channel 100 V 36 A 63 mOhms 16 V 2 V 49.3 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg
Hoja de datos
32.400Fecha prevista: 19/08/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 36 A 26.5 mOhms 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 175 C 92 W Enhancement Tube