700V CoolGaN™ G4 Power Transistors

Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G4 Power Transistors are enhancement-mode GaN-on-Si power transistors with properties that allow for high-current, high-voltage breakdown, and high-switching frequency. The GaN systems innovate with industry-leading advancements like patented Island Technology® cell layout which realizes high-current die and high yield. These 700V CoolGaN power transistors enable ultra-power density designs and high system efficiency in power switching. The GS-065 power transistors are housed in the bottom-side cooled PDFN package. These power transistors offer very low junction-to-case thermal resistance, making them ideal for demanding high-power applications. Some of the applications include data center and computing solutions, power adapters, LED lighting drivers, Switched Mode Power Supplies (SMPS), wireless power transfer, and motor drives.

Resultados: 7
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Modo canal Frecuencia operativa máxima Frecuencia operativa mínima Tecnología
Infineon Technologies FET de GaN LEGACY GAN SYSTEMS 214En existencias
Cinta extraída
8,82 €
4,90 €
4,11 €
Bobina
4,11 €
3,91 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 250
SMD/SMT TOLL-11 N-Channel 1 Channel 700 V 40 A 58 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 6.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement 1 MHz 0 Hz GaN-on-Si
Infineon Technologies FET de GaN LEGACY GAN SYSTEMS 155En existencias
Cinta extraída
4,99 €
4,13 €
2,21 €
Bobina
2,21 €
1,90 €
1,84 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 250
SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 700 V 12.2 A 180 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement 1 MHz 0 Hz GaN-on-Si
Infineon Technologies FET de GaN LEGACY GAN SYSTEMS 88En existencias
Cinta extraída
5,36 €
2,83 €
2,38 €
Bobina
2,38 €
2,33 €
Ver
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 250
SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 700 V 15.2 A 138 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement 1 MHz 0 Hz GaN-on-Si
Infineon Technologies FET de GaN LEGACY GAN SYSTEMS 15En existencias
Cinta extraída
5,25 €
2,87 €
2,43 €
Bobina
2,43 €
2,38 €
Ver
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 250
SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 15.2 A 138 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement 1 MHz 0 Hz GaN-on-Si
Infineon Technologies FET de GaN LEGACY GAN SYSTEMS No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Cinta extraída
6,52 €
3,50 €
2,90 €
Bobina
2,90 €
2,61 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 250
SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 23 A 90 mOhms - 10 V, + 7 V 4.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement 1 MHz 0 Hz GaN-on-Si
Infineon Technologies FET de GaN LEGACY GAN SYSTEMS Plazo producción 18 Semanas
Cinta extraída
3,13 €
1,58 €
1,26 €
Bobina
1,26 €
1,10 €
1,08 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 250
SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 700 V 4.6 A 455 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 800 pC - 55 C + 150 C Enhancement 1 MHz 0 Hz GaN-on-Si
Infineon Technologies FET de GaN LEGACY GAN SYSTEMS No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Cinta extraída
4,33 €
3,87 €
1,96 €
Bobina
1,96 €
1,95 €
1,90 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 250
SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 12.2 A 180 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement 1 MHz 0 Hz GaN-on-Si